美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內(nèi)存芯片
—— 硅穿孔制程將運用在美光的混合式記憶體立方之中
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近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(Hybrid Memory Cube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/126564.htm美光將會開始生產(chǎn)利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-silicon vias; TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制程將運用在美光的混合式記憶體立方之中。美光芯片的部分零件將會在IBM位于紐約的晶圓廠生產(chǎn)。
IBM將會在12月5日于美國華盛頓舉行的IEEE 國際電子裝置會議上展示它的TSV制程技術(shù)。
對于美光而言，混合式記憶體立方(HMC)是DRAM封裝的一項突破。HMC的原型能以每秒128GB的速率執(zhí)行，相較于目前的記憶體芯片的速率為12.8 GB/s。HMC使用的電力也少了70%。
HMC將會運用在網(wǎng)路與高效能運算設(shè)備、工業(yè)自動化與消費性產(chǎn)品等。目前HMC將主要針對高端用戶。
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