2、閃存芯片：現(xiàn)代海力士H27UBG8T2ATR

　　在電路板的正面和背面，分別有一塊采用TSOP封裝的現(xiàn)代海力士H27UBG8T2ATR—BC閃存芯片，每塊容量為4GB，共8GB。

歌美HD8900LE閃存芯片：現(xiàn)代H27IBG8T2ATR

現(xiàn)代H27UBG8T2ATR閃存的主要特點(diǎn)

現(xiàn)代H27UBG8T2ATR閃存的應(yīng)用

　　來(lái)自世界最大的DRAM生產(chǎn)商Hynix公司，型號(hào)為H27UBG8T2ATR-BC，容量為32Gbit(4GB)，產(chǎn)品適用于MP3，MP4，U盤，數(shù)碼相框，閃存記憶卡，錄音筆，通訊設(shè)備、GPS等便攜PMP產(chǎn)品。在日常使用中，難免需要放入大量Flash文件、游戲、軟件、視頻、MP3、電子書(shū)文件，8GB的大容量，還能通過(guò)TF卡將容量擴(kuò)展，以滿足用戶日常使用所需的大容量存儲(chǔ)空間。

　　3、緩存芯片：三星K4T1G164QE-HCE7

　　在處理器右邊，有一三星DDRII400MHz緩存芯片——K4T1G164QE-HCE7，該芯片的容量為128MB，速度為2.5ns@CL5，并采用84針角FBGA封裝。

歌美HD8900LE緩存芯片：三星K471G164QE

三星K4T1G164QE具體參數(shù)

三星K4T1G164QE具體參數(shù)

三星K4T1G164QE構(gòu)造

　　三星K4T1G164QE-HCE7的具體信息為：

　　容量：64Mb×16(128MB)

　　封裝格式：FBGA84

　　頻率：PC800

　　特點(diǎn)：低工作電壓、低熱量、速度穩(wěn)定