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            ST推出采用能量收集技術(shù)的先進(jìn)雙接口存儲器

            作者: 時間:2011-11-16 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              · 400 kHz低功耗I2C接口

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/125960.htm

              · 1.8V到5.5V電源電壓

              · Vout模擬輸出(能量收集)

              · 射頻(RF)狀態(tài)數(shù)字輸出

              現(xiàn)已投入量產(chǎn),封裝采用SO8、TSSOP8或MLP8貼裝。新產(chǎn)品可按照客戶要求提供裸片。

              詳細(xì)技術(shù)信息

              意法半導(dǎo)體的雙接口存儲器是EEPROM非易失性存儲器,用于存儲系統(tǒng)參數(shù)、外部輸入數(shù)據(jù)或軟件代碼。每款產(chǎn)品均配備兩個不同的接口,1個I2C串行接口和1個無線射頻接口,其中射頻接口兼容ISO-IEC 15693 RFID 13.56MHz射頻標(biāo)準(zhǔn)和ISO15693 NFC系統(tǒng)。該存儲器能夠像標(biāo)準(zhǔn)串口EEPROM一樣通過串行通信接口與主機(jī)系統(tǒng)器通信,消費者也可使用RFID讀寫機(jī)或手機(jī)直接讀寫存儲器。無線通信需要一個天線可在印刷電路板上被簡易蝕刻。

              芯片內(nèi)置一個數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制,包括32位密碼保護(hù),防止數(shù)據(jù)安全受到威脅,如意外覆寫和非法訪存或篡改數(shù)據(jù)。

              新產(chǎn)品 增加一個電源管理電路,能夠收集外界的能量并轉(zhuǎn)換成電能,通過一個輸出引腳向印刷電路板上的其它器件供電。標(biāo)稱輸出電壓范圍為1.7V至2.3V,讓存儲器能夠驅(qū)動多種類芯片,包括低壓CMOS芯片。

              驅(qū)動外部器件的有效電量與多種因素有關(guān),如讀寫機(jī)的射頻功率、讀寫機(jī)與存儲器所連天線的距離,以及讀寫機(jī)與存儲器天線的相對尺寸。在射頻讀寫或近距離通信范圍內(nèi),如射頻功率足夠強(qiáng),消費者可使用1個RFID芯片驅(qū)動多個設(shè)備。EEPROM的能量收集模式可打開或關(guān)閉,通過設(shè)置一個內(nèi)部寄存器可在300µA至6mA范圍內(nèi)調(diào)整最大輸出電流。

              為了演示雙接口 EEPROM的能量收集功能,意法半導(dǎo)體已發(fā)布ROBOT-M24LR16E-A評估板。


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            關(guān)鍵詞: ST 存儲器芯片 M24LR16E

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