IBM和ARM正進行小功率SOI芯片研究
—— 打算將采用體硅制成的CMOS設(shè)計轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配
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11月15日消息，據(jù)國外媒體報道，IBM、ARM同一批半導(dǎo)體生產(chǎn)商正在進行一項關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計劃，打算將采用體硅制成的CMOS設(shè)計轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/125922.htm由于受超薄氧化物層覆蓋，采用該種芯片的設(shè)備將提供更好的性能以及更低的能耗。參與此次合作研究的公式有ARM、法國半導(dǎo)體廠商Leti、比利時魯汶大學(xué)(the Université Catholique de Louvain) 、IBM、Globalfoundries、 法國Soitec。
SOI工業(yè)協(xié)會組織的執(zhí)行總裁Horacio Mendez表示： “這項工作表明表明電路板的制成技術(shù)由體硅轉(zhuǎn)向FD-SDI可以直接進行，這僅取決于特定芯片制造商所使用的FD-SDI技術(shù)。這項設(shè)計能縮短基于FD-SOI設(shè)備的面世時間，同時將帶來更優(yōu)化的ICs以及更快的實時速度。”
研究中bulk-to-fd-soi網(wǎng)絡(luò)芯片設(shè)計的移植，將在現(xiàn)有的平面設(shè)計中進行最小的調(diào)整，尤其是可行的標(biāo)準(zhǔn)單元庫、內(nèi)存編譯器和輸入輸出操作系統(tǒng)，以獲得模擬和混合信號設(shè)計。
FD-SOI一項設(shè)計特點是其潛在性能，在運行全IP內(nèi)核或者整組芯片時電壓的供給可以非常低，大概在0.5-0.6V之間。
目前，該小組正在為全芯片設(shè)計接口的兩線路進行檢測。
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