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            EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 晶電紅光芯片效率達(dá)到200 lm/W

            晶電紅光芯片效率達(dá)到200 lm/W

            —— 更具競(jìng)爭(zhēng)力的性價(jià)比
            作者: 時(shí)間:2011-11-07 來(lái)源:LEDinside 收藏

              以高效率混光(Direct-Red platform)是暖白光照明應(yīng)用的重要技術(shù)之一。這個(gè)技術(shù)提供照明燈更好的發(fā)光效率、更佳的演色性(CRI),以及更具競(jìng)爭(zhēng)力的性價(jià)比 (流明/美元,lm/$)。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/125568.htm

              芯片光電致力于四元紅光低壓(2V)芯片與高壓(HV)芯片效率提升,相較于使用紅色螢光粉轉(zhuǎn)換形成暖白色調(diào)之技術(shù)(Phosphor Red platform),芯片光電四元芯片技術(shù)可提供更高效率及更低成本之解決方案。EPISTAR LAB最新的實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)報(bào)告,小尺寸(355μm2)紅光低壓2V芯片在6 mA下操作,其發(fā)光波長(zhǎng)609nm (Wd)可達(dá)成200 lm/W之高效率,在一般20mA操作電流下,效率也可達(dá)184 lm/W。

              要達(dá)到如此絕佳的效率,EPISTAR LAB開(kāi)發(fā)出多項(xiàng)技術(shù),其中包括透明基板轉(zhuǎn)換制程、減少量子井光線吸收、增加光子萃取率的細(xì)微結(jié)構(gòu)與提高電流分布均勻度等。同樣的技術(shù)也應(yīng)用在紅光高壓(HV)芯片,數(shù)據(jù)報(bào)告高壓(HV)芯片在6 mA下操作可達(dá)到186 lm/W,一般20mA操作電流下,則可達(dá)到174lm/W,此時(shí)電壓值為18.5伏特。超高效率紅光高壓(HV)芯片適合應(yīng)用在2W~10W具有光引擎?zhèn)I限空間的燈具,例如GU10以及燈泡。

              芯片光電將持續(xù)開(kāi)發(fā)更先進(jìn)之芯片技術(shù),并與客戶緊密合作,提供市場(chǎng)更佳之照明解決方案。



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