世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron)宣布提供全新4-至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲(chǔ)器的預(yù)認(rèn)證樣片，新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國(guó)晶圓供應(yīng)商的鐵電存儲(chǔ)器工藝制造，具有1萬(wàn)次 (1e12)的讀/寫循環(huán)、低功耗和無(wú)延遲(NoDelay )寫入特性。

　　FM25040C、FM25C160C和FM25640C分別是 4、16和 64Kb F-RAM存儲(chǔ)器，能夠以高達(dá)20MHz的總線速度進(jìn)行寫操作，具有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口(SPI)。F-RAM存儲(chǔ)器陣列在接收到數(shù)據(jù)后，立即將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器，不同于需要數(shù)據(jù)輪詢的EEPROM和其它非易失性存儲(chǔ)器，F(xiàn)-RAM存儲(chǔ)器可以立即開始下一個(gè)總線周期，這些特性使得Ramtron最新的串口F-RAM存儲(chǔ)器非常適合需要頻繁和快速寫入的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用，包括工業(yè)控制和高速數(shù)據(jù)采集等應(yīng)用。