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            數(shù)字電源控制模擬控制能力

            作者: 時(shí)間:2011-10-12 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/124365.htm

             

              (圖字:占空比(標(biāo)稱值變化百分比),損耗(W))

              因此,由于占空比可以作為測量相對損耗的方法使用,可以在數(shù)字實(shí)現(xiàn)過程中改變參數(shù),并對占空比的影響情況進(jìn)行監(jiān)測。如果占空比增加,則可以在相反的方向調(diào)整參數(shù),可以減少占空比(和相對損耗)。

              死區(qū)時(shí)間是高側(cè)FET關(guān)斷和低側(cè)FET導(dǎo)通之間的時(shí)間,反之亦然。如果死區(qū)時(shí)間過長,體二極管導(dǎo)通代表可能會(huì)出現(xiàn)損耗。如果死區(qū)時(shí)間太短,那么就可能發(fā)生交叉導(dǎo)通,也引入了損耗,如圖11所示。

              

             

              (圖字:損耗(W),H-L延遲(ns))

              在大多數(shù)設(shè)計(jì)中,最佳死區(qū)時(shí)間不是固定值。圖12顯示了幾種情況下低側(cè)柵極信號和開關(guān)節(jié)點(diǎn)的波形。上圖為60納秒時(shí)的固定死區(qū)時(shí)間。左上圖是電流為1安培的情況,右上圖是20安培負(fù)載電流的情況。請注意,也就是說,波形之間的相對差額在中電壓范圍。還要注意,在20安培情況下,開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓中有一些下沖,這表明死區(qū)時(shí)間過長(導(dǎo)致體二極管導(dǎo)通)。

              

             

              (圖字:Sw節(jié)點(diǎn),LS門)

              下圖有12納秒的固定死區(qū)時(shí)間。請注意,在這種情況下,在電流函數(shù)痕跡之間差別不大。因此,理想的死區(qū)時(shí)間可能無法由一定的電壓波形來確定。理想的死區(qū)時(shí)間很可能是負(fù)載電流的一個(gè)函數(shù)。請注意,開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓過沖說明有交叉導(dǎo)通,即這種情況說明死區(qū)時(shí)間太短。

              圖13顯示了分別使用60納秒和28納秒最佳死區(qū)時(shí)間設(shè)置的1安培和20安培的波形。請注意,開關(guān)節(jié)點(diǎn)的下沖或過沖較少。

              

             

              因?yàn)槲覀冎溃鄬p耗可以通過占空比測得,數(shù)字控制可以改變死區(qū)時(shí)間,同時(shí)觀察占空比,從而優(yōu)化了轉(zhuǎn)換器的效率。該算法可優(yōu)化隨負(fù)載變化,以及溫度變化,及器件老化的效率,得到最佳效率。

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