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      美國高速武器數(shù)據(jù)鏈技術(shù)取得重大突破

      —— 最新SoC和碳化硅襯底氮化鎵電路技術(shù)
      作者: 時間:2011-09-27 來源:新華網(wǎng) 收藏

        美國空軍研究實驗室(AFRL)已完成了其“經(jīng)濟上可承受的武器數(shù)據(jù)鏈插入”(Affordable Weapons Datalink Insertion,AWDI)研究項目。

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/123939.htm

        該項目由AFRL、羅克韋爾•柯林斯公司和Nitronex公司聯(lián)合完成,目標是改進武器數(shù)據(jù)鏈技術(shù)。該項目共投資510萬美元,持續(xù)了41個月,成功開發(fā)了一系列產(chǎn)品級的碳化硅襯底氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(),并使小型碳化硅襯底氮化鎵的成品率由不到25%提高到了超過95%。

        該項目所開發(fā)的技術(shù)已降低了整個武器數(shù)據(jù)鏈系統(tǒng)的購買成本,并使現(xiàn)有的數(shù)據(jù)鏈項目——如多功能信息分發(fā)系統(tǒng)-聯(lián)合戰(zhàn)術(shù)無線電系統(tǒng)(MIDS-JTRS)和地面移動無線電臺等——可盡早開始轉(zhuǎn)型。

        一直以來,用于武器的高速數(shù)據(jù)鏈都是美國空軍和美國海軍開發(fā)某種網(wǎng)絡(luò)化武器能力的關(guān)鍵使能技術(shù)。這種數(shù)據(jù)鏈可在武器、實時任務(wù)分析和瞄準之間提供反饋。

        有的武器數(shù)據(jù)鏈需要大的帶寬和高的功率,以便在最大可能的距離上實現(xiàn)盡可能大的數(shù)據(jù)傳輸率。

        在AWDI項目中,項目研究團隊共建立了3項有關(guān)碳化硅襯底氮化鎵可靠性的核心能力:每季度一次的基線處理工藝可靠性監(jiān)控;脈沖可靠性測試及射頻降級;MMIC射頻電路測試與評價能力。

        另外,項目研究團隊還在制造成熟度方面取得了巨大進步。

        該項目所采取的技術(shù)路線最終促進了低成本、寬禁帶碳化硅襯底氮化鎵MMIC制造流程的成熟,而這一流程是小型化數(shù)據(jù)鏈需要使用的、滿足“尺寸、重量、功率和成本”(SwaP-C)約束的芯片組所需要的。

        與當(dāng)前的技術(shù)相比,采用了以上新技術(shù)的數(shù)據(jù)鏈能夠獲得更高的增益和在更寬的頻帶上提供更大的功率輸出。

        在 AWDI項目中,通過對基于碳化硅襯底氮化鎵單片微波集成電路的武器數(shù)據(jù)鏈設(shè)備進行大規(guī)模的外場測試(其中包括在戰(zhàn)區(qū)作戰(zhàn)行動中使用),該技術(shù)的技術(shù)成熟度等級已達到9。

        該項目的成果已被用于一些國防部系統(tǒng),而在戰(zhàn)術(shù)通信設(shè)備中應(yīng)用碳化硅襯底氮化鎵MMIC的工作正在繼續(xù)進行中。

        開發(fā)硅基片上系統(tǒng)()和碳化硅襯底氮化鎵電路技術(shù),都將進一步提高集成電路的集成度。



      關(guān)鍵詞: SoC MMIC

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