作為新一代功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注的SiC國(guó)際會(huì)議“ICSCRM2011”于2011年9月11～16日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)在美國(guó)俄亥俄州克利夫蘭舉行。會(huì)上圍繞著SiC基板(晶圓)、元件工藝、各種元件以及相關(guān)電路應(yīng)用等題目進(jìn)行了成果發(fā)表。雖然以SiC制功率元件相關(guān)成果為中心，但發(fā)表的內(nèi)容其實(shí)涉及多個(gè)方面。比如，還有采用SiC制成的傳感器及可支持高溫工作的集成電路，以及SiC材料金剛石和在SiC基板上形成石墨烯等成果發(fā)表。

　　普通演講包括口頭演講127項(xiàng)，展板發(fā)表252項(xiàng)，合計(jì)379項(xiàng)，與例年相同。此外還有30項(xiàng)特邀演講和31項(xiàng)消息公報(bào)(LateNews)。發(fā)表者按地區(qū)劃分為美國(guó)占36%、亞洲及大洋洲占33%、歐洲占31%。

　　在會(huì)議的構(gòu)成上，增加了反映SiC晶圓研發(fā)活躍現(xiàn)狀和體結(jié)晶生長(zhǎng)相關(guān)的兩個(gè)會(huì)議。另外還新設(shè)了獨(dú)立的石墨烯會(huì)議。

　　會(huì)議首先推出了兩項(xiàng)主題演講。一是美國(guó)國(guó)家可再生能源實(shí)驗(yàn)室(National Renewable Energy Laboratory，簡(jiǎn)稱(chēng)NREL)的JerryM.Olson所做的利用III-V族半導(dǎo)體材料的高效聚光型太陽(yáng)能電池的演講，另一個(gè)是美國(guó)能源部(DOE)下屬機(jī)構(gòu)高級(jí)能源研究計(jì)劃署(Advanced Research Projects Agency-Energy，簡(jiǎn)稱(chēng)ARPA-E)的RajeevRam所作的題為“SiC對(duì)推進(jìn)清潔能源革新的寬帶隙半導(dǎo)體的作用”的演講。該演講令人感到在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)、節(jié)能及智能電網(wǎng)等方面，以SiC為代表的寬帶隙半導(dǎo)體元件被寄予了厚望。