臺(tái)灣新竹，常憶科技于2011年7月29日正式宣布推出全球第一顆256Kbit序列閃存產(chǎn)品─PM25LD256C。

　　市場(chǎng)上既有的序列閃存廠商之技術(shù), 由于在小容量產(chǎn)品上已無(wú)法有效降低die size及成本, 因此序列閃存產(chǎn)品在業(yè)界之最小容量一般只做到512Kbit, 惟常憶科技以pFlash的專利設(shè)計(jì)才能有效降低512Kbit以下容量的Flash die size, 故決定推出該項(xiàng)業(yè)界獨(dú)有之產(chǎn)品。

　　常憶科技256Kbit序列閃存產(chǎn)品的主要應(yīng)用市場(chǎng),是在需要極小容量程序代碼或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的運(yùn)用方面,如NB/PC cam、游戲機(jī)、服務(wù)器、數(shù)字機(jī)上盒、數(shù)字電視等等原本使用EEPROM 32Kbit ~ 256Kbit之應(yīng)用。在不增加現(xiàn)有接腳數(shù), 且能提供極佳讀寫(xiě)速度, 擦寫(xiě)次數(shù), 低耗電量及長(zhǎng)期數(shù)據(jù)保存年限, 并幫助系統(tǒng)廠商降低原本較昂貴的EEPROM成本最高可達(dá)60%, 常憶科技256Kbit序列閃存產(chǎn)品是最合適的選擇。

　　藉由PMOS band-to-band-tunnel(BTBT)專利的制程結(jié)構(gòu)，0.18um pFlash 在-40度C至105度C可確保在經(jīng)過(guò)20萬(wàn)次擦寫(xiě)后仍可保存資料長(zhǎng)達(dá)20年。相較同業(yè)普遍使用的其它技術(shù)，die size面積約可縮小百分之40，并降低使用功率以及靜態(tài)電流, 故常憶科技之序列閃存在過(guò)去十年持續(xù)提高出貨量及市占率, 質(zhì)量表現(xiàn)在2010全年累計(jì)為0.4ppm, 更為閃存創(chuàng)下業(yè)界品質(zhì)之標(biāo)竿。

　　常憶科技已于今年四月推出PM25LD256C樣品后，于七月正式量產(chǎn)。相關(guān)產(chǎn)品說(shuō)明請(qǐng)至常憶科技網(wǎng)站查詢。

　　以下為PM25LD256C產(chǎn)品之主要功能說(shuō)明:

　　功能

　　容量: 256Kbit; 符合Serial Peripheral Interface基本協(xié)議架構(gòu)

　　抹除單位: 4K-byte or 32K-byte

　　寫(xiě)入單位: 256-byte per page

　　工作電壓范圍 : 2.7-3.6V

　　符合工業(yè)級(jí)溫度范圍 -40 ~ 105’C

　　性能表現(xiàn)

　　讀取性能表現(xiàn): Max 100MHz for fast read

　　寫(xiě)入性能表現(xiàn)(時(shí)間): Typical 2ms per page program

　　抹除性能表現(xiàn)(時(shí)間): Sector/Block/Chip Max 7ms

　　耗電表現(xiàn): Typical 1mA active read current, Typical 10mA program/erase current

　　擦寫(xiě)次數(shù): Min 200,000 cycles

　　資料保存年限: Min 20 years

　　封裝

　　業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)之 8 pin SOIC, TSSOP, USON, KGD

　　符合RoHS的無(wú)鉛封裝