世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation(簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron)宣布，現(xiàn)在已經(jīng)可廣泛提供在新IBM公司生產(chǎn)線上制造的首批預(yù)驗(yàn)證鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)樣片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產(chǎn)品，這些器件可為電子系統(tǒng)提供高性能非易失性數(shù)據(jù)采集和儲(chǔ)存解決方案。Ramtron的F-RAM產(chǎn)品具有非易失性RAM存儲(chǔ)性能、無(wú)延遲(NoDelay)寫(xiě)入、高讀/寫(xiě)耐用性及低功耗特性。

        Ramtron公司首席執(zhí)行官 Eric Balzer稱(chēng)：“發(fā)布FM24C04C和FM24C16C樣片是Ramtron新代工服務(wù)項(xiàng)目的重要里程碑。這些預(yù)驗(yàn)證芯片符合所有數(shù)據(jù)表規(guī)范和公司嚴(yán)格質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的要求，現(xiàn)在這批樣片可以提供給客戶(hù)做產(chǎn)品評(píng)測(cè)。在測(cè)試完成后，我們將會(huì)提供其它樣片，包括3V I2C和3V及5V SPI產(chǎn)品。”

        FM24C04C和FM24C16C采用串行I2C接口，工作電流為100µA(100kHz下典型值)，總線運(yùn)行頻率最高可達(dá)1MHz。這些器件適用于工業(yè)控制、計(jì)量、醫(yī)療、軍事、游戲和計(jì)算應(yīng)用及其它領(lǐng)域，可作為4和16Kb串行EEPROM存儲(chǔ)器的直接替代產(chǎn)品。FM24C04C和FM24C16C均采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8腳SOIC封裝，工作溫度范圍是工業(yè)級(jí)的-40°C至+85°C。

        Ramtron公司FM24CxxC產(chǎn)品的單字節(jié)寫(xiě)入速度比EEPROM快200倍。此外，相比記錄新數(shù)據(jù)之前需要5至10毫秒寫(xiě)入延遲的EEPROM器件，這些器件具有無(wú)延遲特性，能夠以標(biāo)準(zhǔn)總線速度寫(xiě)入。FM24C04C和FM24C16C具有1萬(wàn)億個(gè)寫(xiě)入周期，而EEPROM只有100萬(wàn)個(gè)寫(xiě)入周期。相比同類(lèi)非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，它們具有極低的工作電流。