歐洲微電子研究中心(Interuniversity Microelectronics Centre。即IMEC)與其合作伙伴共同開發(fā)了在200毫米硅芯片上生長GaN/AlGaN的技術。

　　借助這項新技術，GaN MISHEMTs( metal-insulator semiconductor high-electron mobility transistors，無金屬高電子遷移率晶體管)能夠嚴格按照CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體)的污染控制要求在工藝線上進行生產(chǎn)(不再需要加入金這種貴金屬)，進而能夠在200mm硅襯底上大批量生產(chǎn)高質量的氮化鎵產(chǎn)品。

　　IMEC介紹了該技術可實現(xiàn)大尺寸生產(chǎn)和兼容性好的優(yōu)勢。氮化鎵是一種極具潛力能替代硅元件的新一代功率器件。IMEC使用Applied Materials公司的MOCVD最近成功地在200毫米硅芯片上生產(chǎn)出表面無裂紋并且彎曲度小于50微米的氮化鎵硅芯片是一個重要的里程碑，因為生產(chǎn)大尺寸芯片對降低成本效果顯著。

　　同時，IMEC的新技術展示了使用標準CMOS工藝生產(chǎn)GaN MISHEMTs，并驗證了所有的設備僅僅只要求在軟件和硬件做微小的調整即可。

　　通常，金這種貴金屬被用于氮化鎵產(chǎn)品的電路連接和門電路結構，但它使氮化鎵的加工與CMOS工藝不兼容。而IMEC基于無金的電路連接系統(tǒng)，和無金的金屬絕緣半導體(MIS)門結構解決了兼容問題。這種MISHEMT設計還能有效降低傳統(tǒng)HEMTs(高電子遷移率晶體管)的高漏電問題。