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            東芝將量產(chǎn)19nm工藝64Gbit NAND

            —— 計劃推出3bit/單元產(chǎn)品
            作者: 時間:2011-04-26 來源:日經(jīng)BP社 收藏

              宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit 型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨,2011年第三季度(2011年7~9月)開始量產(chǎn)。此次開發(fā)的64Gbit 芯片是2bit/單元產(chǎn)品,還計劃推出3bit/單元產(chǎn)品和1bit/單元產(chǎn)品。不過,這些產(chǎn)品的上市時間目前“尚未確定”()。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/118988.htm

              近年來,隨著智能手機市場的迅速擴大、平板終端的亮相、以及SSD的普及等,針對的大容量化和高速化的要求越來越強烈。為了滿足這種要求,推出了組合使用19nm工藝和2bit/單元技術的64Gbit NAND。工藝由原來的24nm微細化至此次的19nm,由此縮小了芯片面積,而且可在嵌入智能手機和平板終端時使用的小型封裝內(nèi)最多層疊16層。為了滿足高速化要求,東芝采用了最大可實現(xiàn)400Mbit/秒高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)慕涌跇藴?ldquo;Toggle DDR 2.0”。



            關鍵詞: 東芝 NAND

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