英特爾與美光新加坡合資NAND閃存廠投產(chǎn)
—— 工廠采用25納米生產(chǎn)流程
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英特爾官員日前表示，英特爾和美光聯(lián)手在新加坡投資30億美元興建的NAND閃存廠周四開始投產(chǎn)。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/118917.htm之前由于爆發(fā)全球性金融危機(jī)，加上內(nèi)存產(chǎn)品價格低迷，英特爾和美光剛開始就推遲了興建這座工廠的計劃，不過雙方于2010年又把這項計劃重新提上日程。雙方表示，由于進(jìn)展順利，工廠提前完工。
英特爾非易失性存儲解決方案集團(tuán)副總裁托馬斯·蘭波尼(ThomasRampone)稱這座工廠剛開始每月可生產(chǎn)數(shù)千塊晶片，明后兩年每月可生產(chǎn)2.5萬塊晶圓。每塊晶圓包含有許多閃存芯片。
目前，美光和英特爾在美國擁有2家合資廠。隨著市場對芯片產(chǎn)品需求的不斷擴(kuò)大，雙方再度聯(lián)手新建了這座工廠，面向移動設(shè)備制造商銷售產(chǎn)品。
英特爾和美光表示，工廠剛開始將采用25納米生產(chǎn)流程，年底前將采用20納米生產(chǎn)流程。英特爾和美光之所以選擇在新加坡建廠，主要是為了吸引更多人才，接近供應(yīng)鏈。
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