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            DDR測(cè)試技術(shù)和工具是否跟上了時(shí)代步伐?

            作者: 時(shí)間:2011-04-02 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              業(yè)界速度最快、最完整的解決方案

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/118356.htm

              對(duì)于DDR信號(hào)路徑(通道)鑒定和電路板/DIMM檢驗(yàn),泰克公司帶有TDR模塊和S參數(shù)分析軟件的DSA8200采樣示波器可以幫助工程師高效、簡(jiǎn)單地完成阻抗測(cè)量、插入損耗和回波損耗、串?dāng)_等測(cè)量項(xiàng)目,完成整個(gè)分析項(xiàng)目只需幾分鐘。該示波器的采樣帶寬>70GHz,最有最低的抖動(dòng)本底,改善了阻抗測(cè)量精度和分辨率(Z-Line),1M的存儲(chǔ)深度可保證對(duì)高頻信號(hào)的長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試。

              對(duì)于DDR的模擬特性和物理層調(diào)試,泰克帶寬達(dá)20GB的DPO/DSA/MSO70000B高性能示波器和相關(guān)探測(cè)、測(cè)量軟件將是非常不錯(cuò)的選擇,一個(gè)方案同時(shí)支持DDR1/2/3、LP-DDR、GDDR3。當(dāng)然,特別值得一提的是還要搭配泰克公司的突破性探測(cè)工具和技術(shù)。不過,余嵐介紹說:“對(duì)于經(jīng)費(fèi)預(yù)算有限且要求稍低的中小公司而言,泰克最新推出的高性價(jià)比中端示波器MSO/DPO5000也是不錯(cuò)的選擇。”

              眾所周知,不論是智能手機(jī)等直接將DRAM芯片焊接在PCB上的嵌入式設(shè)計(jì)還是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)化DIMM存儲(chǔ)卡,因?yàn)槿缃馜DR2和DDR3都是采用FBGA封裝,所以DRAM芯片的探測(cè)都是非常困難,因?yàn)橐酝倪壿嫹治鰞x和示波器探頭都不能探測(cè)到焊球,而通過連接器、PCB板或過孔這些測(cè)試點(diǎn)都不能真正代表DRAM內(nèi)部情況。為此,泰克創(chuàng)業(yè)界先河,與Nexus公司合作,開發(fā)出BGA芯片插座,該插座分為Socket版本和焊接版本,配合泰克公司的P7500系列TriMode(三模)專利探頭,可提供探測(cè)信號(hào)的完美保真度。

              圖2:Nexus公司開發(fā)的BGA芯片插座(分成socket版本和焊接版本)確保了DDR探測(cè)信號(hào)保真度。

              泰克的TriMode(三模)探測(cè)技術(shù)使用單條探頭與DUT鏈接,不僅可完成傳統(tǒng)差分測(cè)量,而且可切換成在任一輸入上進(jìn)行獨(dú)立單端測(cè)量或直接進(jìn)行共模測(cè)量。以往,完成這些需要3個(gè)獨(dú)立探頭(見圖3)。

              圖3:

              左圖:以往1只探頭用于差分測(cè)量、2只探頭用于單端測(cè)量和共模測(cè)量

              或1只探頭焊接和重焊三次、2只探頭用于共模測(cè)量。

              右圖:1只TriMode探頭,通過切換進(jìn)行差分測(cè)量、單端測(cè)量和共模測(cè)量。

              前文提到過,DDR信號(hào)不同于其他信號(hào),其數(shù)據(jù)信號(hào)是雙向的,讀信號(hào)和寫信號(hào)同時(shí)出現(xiàn)在信號(hào)線上。人們很難判斷當(dāng)前捕獲到的數(shù)據(jù)是讀信號(hào)還是寫數(shù)據(jù),這就給測(cè)試效率會(huì)很低,也比較容易出錯(cuò)。有了泰克公司的DDR自動(dòng)測(cè)試軟件選項(xiàng)如DDRA和DPOJET,就可使上述信號(hào)采集和分析問題迎刃而解,而且可以加速驗(yàn)證過程。DDRA的功能特性包括但不限于:

              1.新的自動(dòng)配置向?qū)В龑?dǎo)用戶簡(jiǎn)便地完成設(shè)置和測(cè)試配置;

              2.可識(shí)別和分析整個(gè)采集中的所有讀/寫突發(fā);

              3.為讀和寫繪制DQS和DQ眼圖;

              4.使用Pass/Fail 極限執(zhí)行JEDEC一致性測(cè)試;

              5.使用片選判定多排測(cè)量;

              6.簡(jiǎn)便地在一致性測(cè)試工具和分析/調(diào)試工具之間切換;

              7.使用Pass/Fail信息、統(tǒng)計(jì)測(cè)量結(jié)果和測(cè)試設(shè)置信息,自動(dòng)生成合并報(bào)告。

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            關(guān)鍵詞: SDRAM DDR測(cè)試

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