日本電子信息領域技術戰(zhàn)略地圖（二）存儲記憶體子領域
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一、日本存儲記憶體技術戰(zhàn)略地圖制定背景
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/117890.htm日本推出存儲記憶體技術戰(zhàn)略是基于這樣一種背景之下：一方面隨著INTERNET逐步向高速化發(fā)展，大容量視頻圖像傳輸?shù)男枨笠苍谠黾?，相應的大容量存儲器成為必要設備。另一方面消費電子設備，如數(shù)碼相機、媒體播放器、手機等的多功能化、小型化的發(fā)展趨勢，使得這些設備所需的存儲記憶體也朝著大容量、低耗電的方向發(fā)展，已出現(xiàn)了能存儲幾十倍容量的服務器和移動設備。此外電子設備的瞬時啟動和更長的工作時間也是未來的熱點需求。因此存儲記憶體技術是高效的信息處理不可欠缺的技術之一。
日本在存儲體記憶技術領域的研發(fā)是圍繞大容量、高速化、節(jié)能三方面展開的。這也是這次存儲記憶體技術戰(zhàn)略的重要思考。目前已有的研究項目如下：
在存儲領域內，磁性存儲與光學存儲是重點，兩者都已提高存儲密度為目的。在“促進高先進電子技術開發(fā)項目”(1996~2001年)中，研發(fā)垂直磁性記錄方式，以提高硬盤存儲密度。“納米光控的開發(fā)”(1998~2002年)中部分研究成果，已經(jīng)應用在藍光光盤系統(tǒng)的開發(fā)中。
在內存方面，過去重點是磁阻內存(MRAM)研究，而現(xiàn)在重點是“自旋內存”，在“自旋電子學非易失性性能項目”中，利用電子的自轉，將全新的原理應用到內存技術當中，推進著自旋內存的研發(fā)。
在未來內存技術方面，重點是納米槽內存，對應的項目是從2007年開始的納米電子學的研發(fā)項目。
在綠色節(jié)能方面，從2008年開始了“綠色IT計劃”，著手低耗電硬盤等技術研發(fā)。
二、日本存儲記憶體技術戰(zhàn)略地圖研究領域
1、存儲記憶體設備
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項目
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研發(fā)技術
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主要的性能目的
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磁性存儲
（HDD）
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媒介技術（模式媒介、熱輔助對應媒介）
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大容量、節(jié)能
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記錄頭技術（熱輔助技術、微型加工技術）
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大容量、節(jié)能
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再生頭技術（TMR、CPP-GMR、自旋電子學應用）
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大容量、節(jié)能
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光學存儲
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高數(shù)據(jù)運送加速技術（并行處理）
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節(jié)能
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比特微型化技術（超級鏡片、SIL）
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大容量、節(jié)能
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三維記錄技術（全息圖、2光子吸收）
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大容量、節(jié)能
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FLASH
（NAND型、NOR型）
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低縱橫比單元（納米點、TANOS）
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大容量
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多值化技術（低單元間干擾、鐵電體門絕緣膜）
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大容量
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多層化技術（3D、BiCS）
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大容量
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FeRAM
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新存儲單元構成技術（鏈型、1T型、三維電容）
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大容量
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材料技術（新鐵電材料）
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大容量
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MRAM
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大容量化技術（磁感應型、自旋注入型、垂直磁化型）
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大容量
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高速讀取技術（高功率、材料）
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高速化
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寫入技術（倒自旋注入、磁壁移動）
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高速化、節(jié)能
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存儲單元構成技術（高速、多層次、多值、交叉點、邏輯回路）
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大容量、高速化
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PRAM
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材料技術（新型相變材料 ）
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大容量、高速化
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多值技術
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大容量
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3維（3D ）
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大容量
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項目
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研發(fā)技術
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主要的性能目的
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ReRAM
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大容量化技術
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大容量
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材料技術
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大容量
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機構解明
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大容量
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PMC-RAM
（原子開關、納米橋內存等）
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重寫數(shù)增加技術
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節(jié)能
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低耗電技術
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節(jié)能
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卡片型全息圖內存
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波導型（材料、構造、記錄方式）
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大容量
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體積記錄型（材料、構造、記錄方式）
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大容量
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MEMS探針內存
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拓撲記錄法
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大容量
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鐵電/鐵磁系統(tǒng)
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大容量
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磁壁移動固體內存
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自旋電子學技術
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大容量
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高集成化技術
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大容量
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有機內存
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材料技術
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節(jié)能
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分子內存
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大容量技術、低耗電技術
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大容量、節(jié)能
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納米管內存
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微型處理器技術
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大容量、高速化
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