聯(lián)電23日結(jié)算前年10月成立的宏寶科技，將宏寶的3D芯片技術(shù)團(tuán)隊(duì)移植到聯(lián)電的研發(fā)部門。市場(chǎng)預(yù)期，未來(lái)3D IC可望成為聯(lián)電在28納米上的重點(diǎn)產(chǎn)品，拉近與臺(tái)積電的距離，亦可望對(duì)爾必達(dá)、力成合作案有加分作用。

　　聯(lián)電則表示，這項(xiàng)做法不但可使投資成本降低，轉(zhuǎn)為內(nèi)部之后，也對(duì)未來(lái)開(kāi)發(fā)3D芯片擁有成本上的優(yōu)勢(shì)。

　　3D芯片是28納米以下先進(jìn)制程的重要發(fā)展趨勢(shì)，主要是透過(guò)芯片立體堆棧的模式，讓不同不同基板的晶以硅穿孔(TSV )堆棧在一起，如此一來(lái)，可達(dá)到體積小及低耗電需求。

　　聯(lián)電是在前年10月19日成立宏寶科技，當(dāng)時(shí)鎖定影像感測(cè)組件及內(nèi)存產(chǎn)品，并由聯(lián)電旗下100%誠(chéng)創(chuàng)投及真宏投資共持有七成股權(quán)，且由執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉擔(dān)任董事長(zhǎng)，目前全公司人員有100多人。經(jīng)過(guò)清算，將優(yōu)先把技術(shù)背景為主的工程師納入聯(lián)電。

　　聯(lián)電并于去年6月與爾必達(dá)、力成宣布一起合作，針對(duì)包括28納米的先進(jìn)制程，提升3D IC的整合技術(shù)，透過(guò)爾必達(dá)提供的DRAM技術(shù)、力成的封裝技術(shù)，以及聯(lián)電的先進(jìn)邏輯技術(shù)，建立完整解決方案。

　　聯(lián)電表示，目前與爾必達(dá)、力成的合作仍在進(jìn)行，預(yù)計(jì)2012年產(chǎn)品導(dǎo)入量產(chǎn)，清算宏寶，并不影響與爾必達(dá)、力成的合作;在聯(lián)電內(nèi)部成立3D芯片研發(fā)團(tuán)隊(duì)后，也許對(duì)與爾必達(dá)、力成合作案有加分作用。