新型數(shù)字電容隔離器提升了高性能標準
—— New digital, capacitive isolators raise the bar in high-performance
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圖2顯示了一個單通道、電容隔離器的內部結構簡化結構圖。從內部來看，隔離器由兩顆芯片組成：一個發(fā)送器和一個接收機芯片。實際隔離層由接收機芯片上的高壓電容器來提供。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/117023.htm由于 AC-通道和 DC-通道均使用一種差分信號技術在數(shù)據傳輸期間提供高噪聲抗擾度，因此必需要有 4 個隔離電容器來形成一條單隔離數(shù)據通道。
圖 2 的右側顯示了一個高壓電容器的橫截面。從發(fā)送器芯片出來的接合線連接到接收機端電容器鋁頂板。底板(也為鋁質)連接到接收機邏輯。板之間是夾層電介質，其為 16-μm 厚的二氧化硅 (SiO2) 層。
使用 SiO2 作為夾層電介質有兩個好處：一、它是具有最小老化效應且最穩(wěn)定的隔離材料之一，因此電容隔離器的預計壽命遠遠超過其他技術;二、使用標準半導體制造技術就可以處理 SiO2，從而大大降低了生產成本。
電容隔離的另外一個優(yōu)點是每個電容 123 毫微微法拉 (123 x 10 -15 F) 的超低容量，從而允許極高的數(shù)據速率傳輸并實現(xiàn)多通道隔離器的微電容幾何尺寸。
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