工程師應對這種挑戰(zhàn)的一個辦法是利用在MOSFET硅技術(shù)和封裝上的進步，這些進步能在更小尺寸的封裝內(nèi)實現(xiàn)更高的性能。通過這個趨勢，我們可以發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)在的封裝已經(jīng)從象SO-8這樣的標準引線封裝向采用底側(cè)引出焊盤的功率封裝轉(zhuǎn)換。對于高電流應用，以前通常采用PowerPAK SO-8這樣6mmx5mm的封裝。但對于更低電流的應用，現(xiàn)在的趨勢是采用3mmx3mm的功率封裝，比如PowerPAK 1212-8。由于這種封裝中的RDS(on) 已經(jīng)足夠低，在筆記本電腦的10A DC-DC應用中，這種封裝已經(jīng)廣為使用。

　　雖然3mmx3mm的功率封裝有助于大幅減少DC-DC電路所占的空間，還是有可能進一步減小空間需求，同時提高功率密度。實現(xiàn)這一點的辦法之一是用組合了兩個器件的封裝替代分立式單溝道MOSFET。Dual SO-8功率MOSFET已經(jīng)出現(xiàn)了很長時間，但是它們一般只能處理小于5A的負載電流，這對筆記本電腦和上網(wǎng)本中的5V和3.3V電壓軌是足夠了，但很顯然，對于負載為10A和更高的系統(tǒng)來說，這個數(shù)值就太低了。

　　這就是為什么制造商正努力制造用于MOSFET的雙片功率封裝，因為這種封裝能夠?qū)崿F(xiàn)比傳統(tǒng)表面貼裝更高的可能最大電流和更好的熱性能。通過使用功率封裝的基本形式，將兩個單獨的芯片組裝在一個封裝內(nèi)，這種器件能夠減小電源電路所需的占位空間。

　　一種稱為PowerPAIR的封裝形式的外形尺寸小于單芯片的6x5封裝(PowerPAK SO-8)，最大電流等級為15A。在筆記本電腦中，這樣的負載電流一般要使用兩片功率6x5封裝，算上印制線和標識面積，以及放置兩個器件后，所占面積至少是60mm2以上。這種功率雙片封裝的尺寸是6.0mmx3.7mm，所占用的電路板空間為22mm2。所占的電路板空間減少了63%，這對電源工程師來說是益處多多，因為留給他們設計電源電路的空間是越來越少。這種優(yōu)點是傳統(tǒng)SO-8雙片封裝類型所不具備的。