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            半導體廠商高層在“世界半導體峰會”發(fā)布戰(zhàn)略演講

            —— 瑞薩及TSMC高層在“世界半導體峰會”發(fā)表戰(zhàn)略演講
            作者: 時間:2011-01-27 來源:日經BP社 收藏

              “世界半導體峰會@東京2011~半導體產業(yè),成長宣言~”(2011年1月24日于日經大廳召開,《日經電子》主辦)隆重舉行,各大半導體廠商高層分別就各自的發(fā)展戰(zhàn)略等發(fā)表了演講。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/116514.htm

              電子代表董事社長赤尾泰以“面向智能社會的新生電子的成長戰(zhàn)略”為題發(fā)表演講,介紹了該公司的戰(zhàn)略等。該公司將以全球份額第一的為優(yōu)勢,擴大與模擬和功率半導體等元件相結合的解決方案業(yè)務,快速應對社會的智能化和全球化。在應對社會智能化的解決方案方面,該公司展示了車用和智能電網用解決方案等具體事例。在全球化方面,該公司將把海外與日本國內的銷售比率從2010年度的50:50調整為2012年度的60:40,具體措施是通過向當?shù)剞D移權限等方式強化在中國的業(yè)務。并且把在中國開發(fā)的推向世界。

              美國GLOBALFOUNDARIES首席執(zhí)行官道格拉斯-格羅斯(Douglas Grose)以“基于創(chuàng)新提出技術與生產新模式”為題發(fā)表演講,對該公司的尖端技術等進行了說明。其中談到了采用高電容率柵絕緣膜+金屬柵電極(HKMG)的28nm工藝、三維封裝技術等。尤其是在曝光技術方面,關于作為未來技術進行開發(fā)的EUV曝光技術,該公司已經通過設在德國德累斯頓的掩模店鋪開始供應60以上的EUV掩模,到2012年下半年將在美國紐約的晶圓處理線導入量產等級的EUV曝光裝置,在2014~2015年在開發(fā)線實施量產。

              爾必達內存代表董事社長兼首席執(zhí)行官坂本幸雄以“日本國內唯一的DRAM廠商,向全球第一發(fā)起的挑戰(zhàn)”為題發(fā)表演講,介紹了該公司的現(xiàn)狀。目前,DRAM價格暴跌使得該公司面臨著嚴峻的業(yè)務環(huán)境,但子公司臺灣瑞晶電子(Rexchip Electronics)實現(xiàn)了高于同行業(yè)其他公司的成本競爭力,廣島工廠的成本競爭力強化也在推進之中。瑞晶目前已經全面完成了向40nm工藝DRAM 生產的轉移,其成品率達到了與上一代的65nm工藝相同的水平。而且,隨著廣島工廠逐漸降低成本,到2010年第三季度,該工廠的成本將只比瑞晶高5%,達到基本相同的水平。今后,該公司將致力于智能電話和平板終端用DRAM,逐步提升其收益性。為此,包括按照DRAM品種分別建設虛擬專用生產線在內,該公司將著手開展生產、質量、供貨等各項體制的重組。

              臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing,TSMC)全球業(yè)務暨營銷資深副總經理陳俊圣(Jason C.S. Chen)以“通過推動合作開拓新時代”為題發(fā)表演講,談及了有關28nm工藝的進展情況等。陳俊圣介紹說,28nm工藝采用了HKMG和應變硅,目前工廠建設正在順利進行。流片已經開始,截至2012年預定共有71個流片。此外,陳俊圣還談到了今后的量產工廠建設計劃,表示正在進行Fab.12- phase7的建設準備。



            關鍵詞: 瑞薩 MCU

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