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            聯(lián)發(fā)科技展訊聯(lián)芯角力TD芯片

            —— 惡戰(zhàn)難免
            作者: 時間:2011-01-24 來源:慧聰電子 收藏

              如果說當(dāng)前TD終端產(chǎn)業(yè)發(fā)展的阻力有哪些?待機時間短和售價偏高是一大障礙。與此直接相關(guān)的,便是上游的高功耗和高成本。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/116366.htm

              1月19日,主流供應(yīng)商之一,展訊通信有限公司(納斯達克:SPRD)在北京高調(diào)宣布,全球首款采用40納米工藝的TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片已研發(fā)成功,并正式投入商用。

              據(jù)了解,目前聯(lián)芯科技、T3G、聯(lián)發(fā)科等主流供應(yīng)商,基本采用65納米、甚至90納米工藝制程,其成本和功耗居高不下,一直是TD終端發(fā)展的一大阻力。

              “采用40納米工藝的TD芯片,其功耗能降低30%,成本降低50%。”在展訊董事長李力游看來,一旦40納米芯片規(guī)?;耐葡蛏逃檬袌觯琓D終端產(chǎn)品的制造門檻和成本有望大幅降低。

              目前尚不知該款TD芯片的最終市場定價。但來自展訊內(nèi)部的多個渠道消息顯示,基于40納米工藝,手機成本可以做到與2.75G終端成本相當(dāng)——這意味著TD手機終端價格有望降到100美金以下。目前TD手機市場價至少在千元以上。

              更為值得關(guān)注的是,TD上游芯片市場的格局,可能由此生變。

              在目前的TD手機芯片市場,聯(lián)芯科技(與聯(lián)發(fā)科合作TD芯片)和T3G兩家占據(jù)超過70%以上的市場份額,展訊份額約25%。市場研究機構(gòu)iSuppli中國研究總監(jiān)王陽認(rèn)為,隨著40納米TD芯片的推出,展訊的市場份額有望得到提升。

              與此相關(guān)的一個產(chǎn)業(yè)背景是,聯(lián)芯科技與聯(lián)發(fā)科基于TD芯片的合作,早已出現(xiàn)裂痕。聯(lián)芯科技獨立研發(fā)的TD芯片已開始商用,而聯(lián)發(fā)科與傲世通合作的TD芯片也計劃于本季度正式上市。

              可以預(yù)見,今年上半年TD芯片市場難免一場惡戰(zhàn)。

              一位芯片設(shè)計公司高層分析,聯(lián)芯科技與聯(lián)發(fā)科的分道揚鑣,讓各自的產(chǎn)品線都處在“左右互搏”的尷尬境地,而T3G的TD芯片成本偏高一直為其市場軟肋:“選在這個時點推出40納米TD芯片,展訊抓住了一個相對有利的時機。”

              這正是展訊CEO李力游的“算盤”。據(jù)李力游透露,按照原定的研發(fā)計劃,展訊原本打算延續(xù)65納米的工藝制程,“但考慮到功耗和成本依舊偏高,即便推出65納米TD芯片,展訊在市場上也不占優(yōu)勢。”


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