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            EEPW首頁(yè) > 元件/連接器 > 新品快遞 > ST車(chē)用大電流功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通電阻

            ST車(chē)用大電流功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通電阻

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            作者: 時(shí)間:2006-03-06 來(lái)源: 收藏
              意法半導(dǎo)體日前針對(duì)汽車(chē)市場(chǎng)推出新的大電流功率場(chǎng)效應(yīng)MOS晶體管,該產(chǎn)品采用最新優(yōu)化的ripFET專(zhuān)利技術(shù),實(shí)現(xiàn)了最低的導(dǎo)通

              據(jù)介紹,D95N04是一個(gè)40V標(biāo)準(zhǔn)電平的DPAK產(chǎn)品,最大導(dǎo)通RDS(on)6.5mΩ,專(zhuān)門(mén)為DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、電磁閥驅(qū)動(dòng)器和ABS設(shè)計(jì)的。新產(chǎn)品的典型RDS(on)在5mΩ區(qū)間內(nèi),能夠滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)閾壓的驅(qū)動(dòng)要求。STD95N04符合汽車(chē)電工理事會(huì)組件技術(shù)委員會(huì)針對(duì)汽車(chē)環(huán)境用組件制定的AEC Q101分立器件應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。該組件最大工作溫度175℃,100%通過(guò)雪崩測(cè)試。 

              STripFET技術(shù)以密度大幅度提高的單元為基礎(chǔ),導(dǎo)通和功耗比上一代技術(shù)更低,占用的硅片面積更少。正在開(kāi)發(fā)的其它的功率場(chǎng)效應(yīng)MOS晶體管將采用相同的技術(shù),以滿(mǎn)足DPAK和D2PAK的需求。

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