美系內(nèi)存大廠美光(Micron)預(yù)測(cè)2011會(huì)計(jì)年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NANDFlash報(bào)價(jià)將持續(xù)走跌，其中DRAM價(jià)格會(huì)下跌約25%，而NANDFlash價(jià)格會(huì)下跌約10%，美光表示，將致力于制程技術(shù)微縮，以期能持續(xù)降低生產(chǎn)成本，因應(yīng)需求不如預(yù)期的市況。

　　受到個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場(chǎng)的終端需求不如預(yù)期，導(dǎo)致DRAM市場(chǎng)陷入嚴(yán)重供過(guò)于求，報(bào)價(jià)也持續(xù)下滑，加上NANDFlash報(bào)價(jià)也是持續(xù)有跌，美光2011會(huì)計(jì)年度第1季獲利腰斬，但連續(xù)5個(gè)季度都交出連續(xù)獲利成績(jī)單，財(cái)報(bào)結(jié)果算是沒(méi)有偏離市場(chǎng)預(yù)期太遠(yuǎn)。

　　美光2011年第1季營(yíng)收為23億美元，凈利1.55億美元，每股盈余0.15美元;與2010年第4季營(yíng)收25億美元相當(dāng)，但與上季凈利為3.42億美元，第1季獲利明顯大幅度縮水，而上季每股盈余高達(dá)0.32美元，第1季每股盈余也是腰斬。

　　若與前1年同期2010年第1季相較，當(dāng)年度營(yíng)收為17億美元，但凈利達(dá)2.04億美元，每股盈余達(dá)0.23美元，相形之下，2011年第1季的獲利能力也同樣降低。

　　2011年第1季內(nèi)存產(chǎn)品線毛利率為26%，相較于2010年第4季37%大幅減少，主要是因?yàn)閳?bào)價(jià)下跌的影響，但制造成本下降也抵銷(xiāo)部分報(bào)價(jià)下跌的沖擊。

　　美光表示，2011!年第1季DRAM和NANDFlash平均售價(jià)(ASP)分別下跌23%和15%~20%，展望第2季售價(jià)走勢(shì)，預(yù)計(jì)DRAM和NANDFlash報(bào)價(jià)都會(huì)持續(xù)下跌，其中DRAM價(jià)格會(huì)下跌約25%，而NANDFlash價(jià)格會(huì)下跌約10%。

　　以2011年第1季美光的出貨量和位成長(zhǎng)率來(lái)看，DRAM出貨量成長(zhǎng)5%，位成長(zhǎng)率下降3%;NAND Flash出貨量成長(zhǎng)20%，而位成長(zhǎng)率則成長(zhǎng)8%;展望第2季，美光表示，預(yù)計(jì)DRAM為位成長(zhǎng)率將接近兩位數(shù)，而NANDFlash位成長(zhǎng)率約15%。

　　雖然預(yù)計(jì)DRAM和NAND Flash價(jià)格會(huì)持續(xù)往下，但美光在制程微縮腳步上也絲毫不懈怠，在轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程后，也將盡快轉(zhuǎn)進(jìn)42奈米制程;美光表示，2011年第1季DRAM和NANDFlash成本分別下降10%和12%，預(yù)計(jì)第2季DRAM成本可再降近10%，NANDFlash將再降個(gè)位數(shù)。