全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業(yè)績走弱，營運(yùn)獲利下滑加上淡季效應(yīng)與產(chǎn)品價(jià)格走跌等因素，有鑒于大陸市場潛力巨大，該公司擬加碼大陸資本投資金額，希望借此刺激營收。海力士大陸區(qū)負(fù)責(zé)人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時(shí)表示，公司計(jì)劃提高大陸廠制程技術(shù)，以生產(chǎn)高階晶片。

　　海力士過去與恒憶半導(dǎo)體(Numonyx)合資在江蘇無錫建廠，近期北京當(dāng)局已批準(zhǔn)海力士提出的收購計(jì)劃，同意海力士以4.23億美元，收購恒憶握有的20.7%股份，將無錫廠房轉(zhuǎn)為海力士獨(dú)資企業(yè)。

　　Lee指出，江蘇外商投資屬海力士無錫廠規(guī)模最巨，加上大陸當(dāng)局提供行政協(xié)助，企業(yè)享有租稅優(yōu)惠，無錫廠于投產(chǎn)1年內(nèi)便出現(xiàn)收益，當(dāng)前該廠每月產(chǎn)能達(dá)16萬片12吋晶圓，產(chǎn)能占海力士整體產(chǎn)出約5成，占全球DRAM產(chǎn)能11%左右。

　　當(dāng)前公司從南韓派出上百名專業(yè)人士，赴無錫廠協(xié)助提升制程技術(shù)，以便該廠未來有能力生產(chǎn)高階晶片。無錫廠當(dāng)前傾注全力，加碼投資，矢志于2011年起開始制造電腦用高階記憶體晶片。

　　該廠將使用44納米制程，加重高階DRAM芯片產(chǎn)出比重，海力士2010年無錫廠投資金額總計(jì)將上探7億美元，據(jù)該公司表示，該廠投資額將于2010年底攀升至55億美元。此外海力2011年還會(huì)再度提升DRAM納米制程技術(shù)。計(jì)劃未來3年內(nèi)每年皆將挹注等資金額，進(jìn)行技術(shù)升級(jí)。

　　近期面對(duì)日本同業(yè)爾必達(dá)(Elpida)工布削減產(chǎn)能計(jì)劃，Lee有意借機(jī)拉大與競爭對(duì)手差距。然因當(dāng)前廠房尚有空間安裝12吋晶圓設(shè)備，因此預(yù)期2013年前不會(huì)在大陸新建廠房。此外海力士與大陸本土企業(yè)無錫產(chǎn)業(yè)集團(tuán)合資成立海太半導(dǎo)體，為海力士首座后端晶片(Back-EndChip)廠，當(dāng)前已開始進(jìn)行封測業(yè)務(wù)，每月產(chǎn)能達(dá)1億片1GDRAM記憶體晶片。海太廠房鄰近海力士無錫廠，可為海力士帶來物流優(yōu)勢(shì)。

　　海力士認(rèn)為大陸市場重要性攀升，決定采取先發(fā)制人策略，于當(dāng)?shù)剡M(jìn)行高階制程技術(shù)投資，目前已可見到初期效果。市場預(yù)估，2010年全球DRAM需求將有2成源自大陸地區(qū)。