通過選擇不同的低電阻襯底，例如圖1所示的摻磷或摻砷襯底，可以大幅降低壓降中半導體部分引起的壓降所占的比例。另一個重要的影響因素是電流分布，它應在整個芯片范圍內盡可能保持均衡，并且將芯片前端金屬化的擴展電阻降至最低。對于BISS晶體管，芯片中的電流均衡分布通過一種稱為網格設計(將晶體管分成不同的柵格結構)的方法來實現。BISS 4晶體管采用受專利保護的雙層金屬化布局，能夠盡量提升發(fā)射極線路金屬厚度，從而將飽和電阻降至最低(參見圖2)。

　　縮短開關時間：集成鉗位元件，降低擴散電容

　　要在降低飽和電壓的基礎上縮短開關時間，關鍵是盡量降低開關操作中的晶體管擴散電容。這主要通過集成的寄生鉗位結構(圖3)來實現，該設計可以避免過度驅動飽和狀態(tài)下的晶體管并有效降低晶體管的存儲時間ts。

　　典型應用

　　低VCEsat晶體管兼具雙極晶體管的優(yōu)勢和低RCEsat值(可與典型MOSFET的RDSon媲美)，主要滿足常規(guī)開關應用。這些應用包括驅動電壓較小的電池供電設備中的負載開關(圖4)。由于實際應用中反向電流阻斷和高能效具有決定性意義，因此雙極晶體管比MOSFET更有優(yōu)勢。例如低VCEsat晶體管通常作為手機等產品的電源管理單元(PMU)中的電荷存儲晶體管使用。

　　另外，筆記本電腦中使用低VCEsat晶體管，可以降低風扇或接口電源負載開關的損耗，延長電池使用時間。

　　降低飽和電壓：低電阻半導體襯底、芯片金屬化結構和芯片設計