夏普聯袂爾必達開發(fā)下一代ReRAM閃存芯片
—— 夏普、爾必達合作開發(fā)下一代ReRAM閃存芯片
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日經新聞報道，夏普正與爾必達聯手開發(fā)下一代ReRAM可變電阻式閃存芯片，預計在2013年實現量產。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/113465.htm早在2007年，富士通就宣布開發(fā)出了這種可變電阻式閃存芯片，它在降低功耗的同時寫入速度達到目前手機所用NAND閃存芯片的10000倍。日經新聞稱，采用ReRAM芯片的設備可以在幾秒鐘的時間內下載一部高清電影，待機模式下功耗幾乎為零。
除了夏普和爾必達外，日本產業(yè)技術綜合研究所、東京大學以及其它芯片設備制造商也將加入到研發(fā)工作當中。該芯片最早將在2013年實現量產，爾必達將可能負責這一生產工作。
此外其它競爭對手同樣也在積極研發(fā)新型存儲芯片，東芝就在開發(fā)一種層式結構(layered structure)閃存芯片;三星除了研發(fā)ReRAM外，相變式存儲芯片和磁性存儲芯片的開發(fā)工作也在進行中。
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