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            Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路

            作者: 時間:2010-09-27 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              ?(c)的控制電路

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/113045.htm

             

              圖3(c) FET型輸出光電耦合器控制電路

              作為放電電路,該電路使用常閉型元件,因此斷開時輸出MOS的電荷會急速放電。另外接通時,該元件被第二光電二極管陣列(P.D.A)偏壓,形成開路狀態(tài),從而使第一光電二極管陣列(P.D.A)所產(chǎn)生的光電流被高效快速地傳導(dǎo)至輸出MOS的柵極,因此與(a)的電路相比,接通時間就變短了。

              另外,利用該常閉型元件還可大幅度地改善速動性。但與此同時該控制電路必須具備二個光電二極管陣列。

             

              圖4 輸出光電耦合器的磁保持特性

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            關(guān)鍵詞: Panansonic PhotoMOS MOSFET

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