三星剛剛公布其量產(chǎn)8GB DDR3筆記本內(nèi)存模組的消息，根據(jù)計劃，三星將為筆記本和移動工作站生產(chǎn)SODIMM接口內(nèi)存模塊，該模塊基于40納米制程，1333MHz頻率，1.5V電壓，比上一代4GB DDR3模組節(jié)電53%，比1.8V DDR2節(jié)電67%。

　　這種模組最早將被提供到戴爾Precision M6500移動工作站上，如將插槽插滿，共可容下32GB內(nèi)存。