隨著三星電子(Samsung Electronics)、全球晶圓(Global Foundries)積極強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù)，臺(tái)積電面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手挖墻角壓力，近期積極招募各方好手，除舉辦各類(lèi)競(jìng)賽挖掘研發(fā)人員，亦采取預(yù)聘 (advanced offer)方式，搶大專(zhuān)院校新鮮人，希望未來(lái)在2x奈米以下先進(jìn)制程研發(fā)腳步更領(lǐng)先，進(jìn)一步拉大與競(jìng)爭(zhēng)者差距。

　　臺(tái)積電2010年大興土木，除中科晶圓十五廠(Fab 15)動(dòng)土，LED廠預(yù)計(jì)2010年底前設(shè)備進(jìn)廠，薄膜太陽(yáng)能廠亦即將動(dòng)工，在產(chǎn)能不斷提高下，亟需培養(yǎng)人才，2010年初增聘3,000人，另外有 2,000個(gè)派遣職缺將于10月前全數(shù)轉(zhuǎn)為正職，6月初宣布再征求3,000人，總計(jì)全年新增8,000人。

　　半導(dǎo)體業(yè)者指出，其實(shí)近年來(lái)電子業(yè)征才普遍不易，尤其具備半導(dǎo)體制程能力的人才欠缺，主要系因大環(huán)境資源分配多傾向培養(yǎng)design house人才，使得擁有制程能力人才數(shù)量越來(lái)越少。此外，盡管政府有研發(fā)替代役名額，然2010年僅有80個(gè)名額，為此臺(tái)積電已率先啟動(dòng)預(yù)聘制度，在大學(xué)畢業(yè)前就先給予正式聘雇書(shū)，亦即大學(xué)生可提前20個(gè)月拿到聘書(shū)，待服完兵役再前往臺(tái)積電報(bào)到就業(yè)。

　　事實(shí)上，不論外在經(jīng)濟(jì)如何變化，臺(tái)積電都給予預(yù)聘人才工作機(jī)會(huì)保障，2010年預(yù)聘名額達(dá)300~400人，往年報(bào)到率超過(guò)8成。臺(tái)積電研發(fā)組織資深副總蔣尚義指出，2010年臺(tái)積電擁有 200多億元研發(fā)經(jīng)費(fèi)，希望優(yōu)秀人才加入臺(tái)積電。為對(duì)抗三星與全球晶圓來(lái)勢(shì)洶洶，臺(tái)積電將原本已退休的蔣尚義延攬回鍋掌研發(fā)兵符，全力在2x奈米以下先進(jìn)制程搶先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，并拉開(kāi)差距。

　　臺(tái)積電奈米制像技術(shù)發(fā)展處資深處長(zhǎng)林本堅(jiān)指出，目前臺(tái)積電在20奈米制程采用浸潤(rùn)式微影及雙重曝光 (double-patterning)技術(shù)，在2x奈米以下，臺(tái)積電則采取深紫外光(EUV)與無(wú)光罩電子束(e-beam)技術(shù)同步并進(jìn)，日前已采用 Mapper多重電子束技術(shù)，成功試產(chǎn)20奈米DRAM芯片，由于電子束相較于EUV不用光罩，大幅降低成本。

　　另外，臺(tái)積在新竹晶圓十二廠(Fab 12)亦有1臺(tái)ASML的EUV機(jī)臺(tái)，正進(jìn)行研發(fā)中。臺(tái)積電指出，在兩種技術(shù)上齊頭并進(jìn)，希望未來(lái)能讓客戶不論是采用哪里種技術(shù)，都不需要擔(dān)心，能放心將設(shè)計(jì)交給臺(tái)積電進(jìn)行生產(chǎn)制造。