英特爾和Micron稱下一代25納米NAND取得突破
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據(jù)國外媒體報道，英特爾和Micron已經(jīng)開始發(fā)布下一代25納米NAND存儲芯片，為達到最高效率，該芯片使用了三層存儲單元技術(shù)。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/111913.htm首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶發(fā)售，用于SD卡存儲設(shè)備。該芯片在每個存儲單元中保存三位信息，而非像傳統(tǒng)芯片那樣保存一到兩位信息，英特爾宣稱，這種芯片是目前市場上最有效率的。
英特爾副總裁及NAND開發(fā)組主管Tom Rampone聲稱25納米已經(jīng)是業(yè)界最小的尺寸，在開發(fā)完成25納米程度的三層存儲單元之后，公司還將繼續(xù)為用戶探索和發(fā)展更高級的產(chǎn)品。公司計劃利用IMFT的設(shè)計和制造業(yè)地位來為用戶提供更高性價比的產(chǎn)品。
目前IMFT正與三星以及其他公司爭奪利潤日趨豐厚的NAND市場。隨著移動存儲市場的增長以及公眾對于固態(tài)硬盤興趣的增多，芯片廠商正在為獲得市場上最好的硬件而競爭。
Tom還說他們正在致力于使8GB的三層存儲單元NAND閃存設(shè)備符合最終產(chǎn)品設(shè)計。
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