整合元件廠(IDM)在金融海嘯后，輕晶圓廠(Fab-Lite)路線更確立，以往歐美IDM廠為臺系晶圓代工廠訂單主力，但近年來日本 IDM廠釋單力道增強(qiáng)，尤其在先進(jìn)制程動作最為積極，半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)期，2011年日本IDM廠對臺釋單效應(yīng)將更明顯，未來日本將與大陸共同成為臺系晶圓代工廠成長重要市場。

　　臺積電董事長張忠謀向來看好IDM廠委外趨勢，在第2季法說會中他特別指出，雖然2009年臺積電在大陸業(yè)務(wù)營收首度超越日本市場，但2010年臺積電在日本業(yè)務(wù)出現(xiàn)令人驚喜的巨大增長，因此，盡管大陸市場持續(xù)走強(qiáng)，但日本市場營收貢獻(xiàn)仍將占較大比重。

　　聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉指出，金融海嘯后IDM廠加大委外釋單力道，且在諸多領(lǐng)域都有看到IDM廠釋單。全球晶圓(Global Foundries)執(zhí)行長Douglas Grose則認(rèn)為，為求生存與成長，愈來愈多IDM廠勢必將采行輕晶圓廠策略，外包趨勢將持續(xù)下去，代工廠必將受惠。

　　以臺積電來說，第2 季來自日本地區(qū)營收比重由首季4%提升到5%，較2009年同期3%成長;至于第2季來自大陸地區(qū)營收比重為3%，較首季2%提升1個(gè)百分點(diǎn)，與2009 年第2季持平。張忠謀亦強(qiáng)調(diào)，IDM委外趨勢將持續(xù)不衰，未來10年內(nèi)幾乎所有IDM廠都將轉(zhuǎn)型成為無晶圓廠或極輕晶圓廠(Fab Very Lite)，超越摩爾相關(guān)技術(shù)更是IDM廠委外最主要產(chǎn)品領(lǐng)域。

　　2010年以來日本IDM廠積極與臺系晶圓代工廠進(jìn)行合作，包括瑞薩陸續(xù)關(guān)閉舊廠房，停止28奈米以下制程投資，并將28奈米以下制程芯片委由臺積電與全球晶圓生產(chǎn)。富士通(Fujitsu)則于2010年開始在臺積電生產(chǎn) 40奈米芯片，并將與臺積電合作28奈米制程邏輯芯片。

　　不過，由于40奈米以下先進(jìn)制程目前占整體晶圓代工產(chǎn)值仍不高，28奈米從2010年下半才開始進(jìn)入量產(chǎn)，因此，日系IDM廠對晶圓代工廠釋單效應(yīng)在2010年仍只是起步，業(yè)界預(yù)期到2011年將會有顯著成長。

　　大陸方面，隨著大陸IC設(shè)計(jì)業(yè)崛起，廠商家數(shù)不斷增加，技術(shù)實(shí)力提升，未來勢必將面臨先進(jìn)制程生產(chǎn)考驗(yàn)，中芯國際剛宣布量產(chǎn)65奈米制程，40奈米則要到 2011年下半，而這些先進(jìn)制程芯片設(shè)計(jì)，臺積電、聯(lián)電仍會是最大受惠者。因此，在日本與大陸成為成長雙引擎前提下，臺積電、聯(lián)電2010年大舉提高資本支出，有其必要性。