英特爾美光公布存儲密度更高的新型閃存芯片
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英特爾和美光當(dāng)?shù)貢r間周二公布了存儲密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲芯片所占空間，還能增加消費電子產(chǎn)品的存儲容量。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/111862.htm新NAND芯片每個存儲單元可以存儲3位信息，存儲容量高達64G位(相當(dāng)于8GB)。英特爾和美光稱這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。
兩家公司稱，使用NAND閃存的數(shù)碼相機和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品的尺寸越來越小。新型芯片還有助于降低制造成本。
兩家公司已經(jīng)向客戶發(fā)送樣品，預(yù)計將于今年底投入量產(chǎn)。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產(chǎn)。與每單元存儲2位信息的NAND芯片相比，存儲容量相同的新型芯片的尺寸減少約20%。美光NAND戰(zhàn)略營銷主管凱文•基爾巴克(Kevin Kilbuck)說，“我們在增加存儲密度的同時，能夠降低制造成本，增加存儲容量。”
但是，存儲密度的提高是有代價的?；鶢柊涂苏f，“新型芯片寫入信息的次數(shù)有所減少。”
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