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            三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規(guī)范制定工作

            作者: 時間:2010-07-23 來源:CNBeta 收藏

              閃存業(yè)兩大巨頭公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR 閃存標準規(guī)范的制訂工作,這種新一代閃存標準規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時候會完成該標準規(guī) 范的制定工作,另外也沒有說明新一代閃存規(guī)范使用的閃存芯片存儲密度參數(shù)。DDR2.0 閃存推出后將主要面向移動和消費級電子類應(yīng)用。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/111142.htm

              現(xiàn)有的DDR1.0版本閃存接口規(guī)范只是將DDR數(shù)據(jù)傳輸接口與傳統(tǒng)的單倍數(shù)據(jù)傳輸率NAND單元結(jié)合在一起使用,接口數(shù)據(jù)傳輸率僅133Mbit/s;而DDR2.0規(guī)范則會將接口數(shù)據(jù)傳輸率提升到400Mbit/s的水平,而眼下市面上常見的NAND芯片采用的多為SDR NAND接口規(guī)范,其數(shù)據(jù)傳輸率僅40Mbit/s。

              上個月,兩家公司便已經(jīng)參與到了由JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會牽頭的DDR2.0 NAND接口標準化工作中去。



            關(guān)鍵詞: 三星 NAND

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