三星量產(chǎn)全球首款30nm級工藝2Gb DDR3內(nèi)存顆粒
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三星電子今天宣布，已經(jīng)開始在全球范圍內(nèi)首家采用30nm級工藝(30-39nm)批量生產(chǎn)2Gb DDR3內(nèi)存顆粒。三星稱，這種新工藝DDR3內(nèi)存顆粒在云計算和虛擬化等服務(wù)器應(yīng)用中電壓1.35V，頻率最高可達(dá)1866MHz，而在PC應(yīng)用中電壓為1.5V，皮哦年率最高2133MHz，號稱比DDR2內(nèi)存快3.5倍，相比于50nm級工藝的DDR3也要快1.55倍。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/111105.htm該顆粒屬于三星的綠色內(nèi)存系列，在服務(wù)器應(yīng)用中能比50nm級工藝產(chǎn)品節(jié)約最多20%的功耗，在多核心PC系統(tǒng)中30nm級工藝4GB DDR3內(nèi)存條相比50nm級2GB DDR3內(nèi)存條速度快60%、功耗低65%。
三星會很快將這種30nm級工藝內(nèi)存顆粒投入全面應(yīng)用，生產(chǎn)4/8/16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條、2/4/8GB UDIMM工作站和桌面內(nèi)存條、2/4/8GB SO-DIMM筆記本和一體機內(nèi)存條，并計劃在今年底將其容量翻番到4Gb。
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