IR 推出全新 HEXFET 功率MOSFET系列
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標準SOT-23封裝，具有超低導通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關、系統(tǒng)和負載開關、輕載電機驅(qū)動，以及電信設備等應用。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/111089.htm新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應用優(yōu)化了性能及價格。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這個全新的SOT-23 MOSFET系列支持從 -30V至100V的寬電壓范圍，并提供不同水平的 RDS(on) 和柵極電荷 (Qg) ，從而為追求緊湊、高效率及低成本解決方案的客戶帶來更佳、更廣泛的設計選擇。”
新器件達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 業(yè)界標準，所采用的材料不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
產(chǎn)品規(guī)格
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器件編號 |
BVDSS |
25°C下的最大Id |
10V下的 典型 / 最大RDS(on) (m?) |
4.5V下的 典型 / 最大RDS(on) (m?) |
典型Qg |
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IRLML9301TRPBF |
-30V |
3.6 A |
51 / 64 |
82 / 103 |
4.8 nC |
|
IRLML9303TRPBF |
-30V |
2.3 A |
135 / 165 |
220 / 270 |
2.0 nC |
|
IRLML0030TRPBF |
30V |
5.2 A |
22 / 27 |
33 / 40 |
2.6 nC |
|
IRLML2030TRPBF |
30V |
2.7 A |
80 / 100 |
123 / 154 |
1.0 nC |
|
IRLML0040TRPBF |
40V |
3.6 A |
44 / 56 |
62 / 78 |
2.6 nC |
|
IRLML0060TRPBF |
60V |
2.7 A |
78 / 92 |
98 / 116 |
2.5 nC |
|
IRLML2060TRPBF |
60V |
1.2 A |
356 / 460 |
475 / 620 |
0.4 nC |
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IRLML0100TRPBF |
100V |
1.6 A |
178 / 220 |
190 / 235 |
2.5 nC |
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