X-FAB Silicon Foundries，業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)晶圓廠及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家，今天公布了業(yè)界首款100V高壓0.35微米晶圓廠工藝。它能用于電池管理,提供新類型的可靠及高性能電池監(jiān)控與保護(hù)系統(tǒng)。它也非常適合用于功率管理設(shè)備，以及用于使用壓電驅(qū)動(dòng)器的超聲波成像和噴墨打印機(jī)的噴頭。此外，X-FAB加入了新興改良式N類與P類雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)晶體管，對于達(dá)到100V的多運(yùn)作電壓，導(dǎo)通電阻可降低45%，晶片的占位能夠降低40%，從而降低了晶粒的成本。X-FAB將于7月27日至28日向全球提供一次免費(fèi)的網(wǎng)絡(luò)講座,探討這些新功能，網(wǎng)絡(luò)講座的議題是“將業(yè)界首款0.35微米100V純晶圓代工廠工藝應(yīng)用于高壓裝置” 。

　　X-FAB首席技術(shù)官Jens Kosch說：“隨著可再生能源越來越流行，混合動(dòng)力與電動(dòng)車、光電池與風(fēng)力渦輪機(jī)等都需要安全高效的能源存儲(chǔ)管理方案。當(dāng)客戶使用X-FAB最新的專業(yè)高壓工藝時(shí),便能夠應(yīng)對這些問題,以及用較低的成本應(yīng)對其他一些潛力巨大的新興設(shè)備。例如我們發(fā)現(xiàn)鋰電池的功率管理解決方案很受關(guān)注，全球的主要汽車制造商都表現(xiàn)出濃厚興趣。通過X-FAB的最新HV工藝，他們就能實(shí)現(xiàn)更安全、更高性能的電池監(jiān)控與保護(hù)系統(tǒng)。”

　　各功能的平均成本更低

　　X-FAB最新改良型N類與P類DMOS晶體管門氧化物厚度為14納米或40納米，客戶根據(jù)其設(shè)備的要求有5V或12V驅(qū)動(dòng)能力可選，操作電壓為55V、75V和100V。通過大幅降低導(dǎo)通電阻，將EEPROM功能集成到基線工藝，進(jìn)行修整和程序存儲(chǔ)，并使用一個(gè)厚金屬層作為第三個(gè)金屬層，X-FAB已經(jīng)大大降低了各功能的平均成本。此外，新加入的獨(dú)立5V NMOS與PMOS設(shè)備能夠操作于0V至 100V之間的電壓。其他設(shè)備改良包括肖特基(Schottky)二極管、20V與100V高壓電容，以及雙極晶體管。

　　供應(yīng)情況

　　以上的所有功能與設(shè)備目前已經(jīng)作為X-FAB的0.35微米高壓工藝產(chǎn)品(XH035)的一部分推出。