在最近召開的SemiCon West產(chǎn)業(yè)會議上， Global Foundries 公司宣布他們將在15nm制程節(jié)點開始啟用EUV極紫外光刻技術(shù)制造半導體芯片。 Global Foundries 公司負責制程技術(shù)研發(fā)的高級副總裁Greg Bartlett還表示，公司將在紐約Fab8工廠建成后馬上開始在這家工廠部署EUV光刻設(shè)備，按之前 Global Foundries公布的計劃，這個時間點大概是在2012年下半年，與之巧合的是，光刻設(shè)備廠商ASML公司也將于這個時間點開始上市EUV光刻設(shè)備。

　　由于IBM/AMD/Global Foundries一直鼎立支持EUV光刻技術(shù)，他們過去也曾經(jīng)試用過ASML的Alpha EUV光刻試驗機，因此將來他們應用起EUV技術(shù)來應該不會遇上太大的困難。另外 Bartlett還表示Global Foundries公司將于2015年正式啟用EUV光刻設(shè)備進行批量生產(chǎn)?？紤]到Global Foundries的計劃顯示今年底明年初他們將推出32/28nm制程產(chǎn)品，這樣大致估算起來，32/28nm制程啟用后大約兩年，我們就可以看到Global Foundries 22nm制程產(chǎn)品的上市，22nm之后再過兩年，則是使用EUV光刻技術(shù)的15nm制程產(chǎn)品上市。

　　另一個令人關(guān)心的問題是，到2015年，也許晶圓的尺寸也已經(jīng)從現(xiàn)在的300mm發(fā)展到450nm直徑了，不過在Bartlett的講話中并沒有提及這方面的信息。不管怎么樣，圍繞在EUV光刻何時能投入實用的問題我們已經(jīng)得到了確切的答案。

　　相比之下，Global Foundries的對手Intel曾計劃在22nm制程節(jié)點啟用EUV光刻設(shè)備，不過他們后來的計劃有所變化，稱將把193nm沉浸式光刻技術(shù)沿用到15nm制程乃至11nm制程節(jié)點;而其另一大對手臺積電則表示會將EUV設(shè)備使用在20nm制程節(jié)點的產(chǎn)品中。

　　注：現(xiàn)有的193nm沉浸式光刻機(以同樣產(chǎn)自ASML的TWINSCAN NXT-1950i沉浸式光刻機為例)的光波波長為193nm，數(shù)值孔徑值NA為1.35;而ASML的EUV Alpha試驗機使用的光波波長則為13.5nm，數(shù)值孔徑值NA則為0.25.