測(cè)量高頻開關(guān)DC-DC轉(zhuǎn)換器中熱應(yīng)力器件功率耗散的新方法
作者：Yuming Bai 博士，高級(jí)系統(tǒng)工程師，Vishay Intertechnology, Inc.
時(shí)間：2010-07-05
來源：電子產(chǎn)品世界
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分立式降壓轉(zhuǎn)換器
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/110581.htm使用上述步驟和圖3，我們獲得了分立式方案的S矩陣，不過沒有考慮驅(qū)動(dòng)IC的功率。
使用上面圖4提供的信息，我們可以得到在Vin = 12V，Vo =1.3V，Io = 8A，F(xiàn)s = 1MHz條件下的功率損耗。
P1 = 0.228W，電感器
P2 = 0.996W，高邊 MOSFET
P3 = 0.789W，低邊 MOSFET
比較等式(18)和等式(22)，我們發(fā)現(xiàn)，由于兩個(gè)電路使用相同的電感器，兩個(gè)電路具有同樣的電感器損耗，這個(gè)結(jié)果和我們預(yù)想的一樣。盡管分立方案中低邊和高邊MOSFET的rDS(on)比集成式方案MOSFET的rDS(on)分別小23%和28%，集成式降壓解決方案的損耗仍然比分立式降壓方案的損耗要低。
我們可以認(rèn)定，集成式方案的頻率更低，而頻率則與功率損耗相關(guān)。
結(jié)語
測(cè)量高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器功率損耗的新方法使用了直流功率測(cè)試，和一個(gè)熱成像攝像機(jī)來測(cè)量PCB板上每個(gè)熱源的表面溫度。用新方法測(cè)得的功率損耗與用電工學(xué)方法測(cè)得的結(jié)果十分接近。新方法可以很容易地區(qū)分出象MOSFET這樣的主熱源，和象PCB印制線及電容器的ESR這樣的次熱源的功率損耗。試驗(yàn)結(jié)果表明，由于在低頻下工作時(shí)的損耗小，高頻集成式DC-DC轉(zhuǎn)換器的整體功率損耗比分立式DC-DC轉(zhuǎn)換器要低。
評(píng)論