聯(lián)電：明年試產(chǎn)28nm工藝3D堆疊芯片
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據(jù)悉，臺灣代工廠聯(lián)電(UMC)計劃于2011年年中開始，使用28nm新工藝試產(chǎn)3D立體堆疊式芯片，并于2012年批量投產(chǎn)。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/110204.htm聯(lián)電CEO孫世偉(Shih-Wei Sun)表示，這種3D堆疊芯片使用了硅通孔(TSV)技術(shù)，是聯(lián)電與日本爾必達、臺灣力成科技(PTI)共同研發(fā)完成的。這次三方合作匯聚了聯(lián)電的制造技術(shù)、爾必達的內(nèi)存技術(shù)和力成的封裝技術(shù)，并在3D IC方案中整合了邏輯電路和DRAM。
孫世偉指出，客戶需要3D-IC TSV方案用于下一代CMOS圖像傳感器、MEMS芯片、功率放大器和其他設(shè)備，而使用TSV技術(shù)整合邏輯電路和DRAM能夠滿足IT產(chǎn)業(yè)和消費電子產(chǎn)品發(fā)展所需要的更強性能、更高集成度。
他強調(diào)說，聯(lián)電與爾必達、力成的合作將給客戶帶來一套完整的解決方案，包括邏輯電路和DRAM界面設(shè)計、TSV構(gòu)成、晶圓研磨薄化與測試、芯片堆疊封裝。
爾必達CEO兼總裁阪本幸雄(Yukio Sakamoto)透露，他們利用TSV技術(shù)開發(fā)出了8Gb DRAM芯片，能在邏輯電路和DRAM設(shè)備之間提供大量I/O連接，顯著提高數(shù)據(jù)傳輸率、降低功耗。
力成董事長DK Tsai則補充說，他們已經(jīng)與爾必達就TSV技術(shù)探討了兩年之久。
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