據國外媒體報道，爾必達總裁阪本幸雄上周五接受媒體采訪時表示，該公司計劃在中國大陸和臺灣建廠，以滿足市場需求并減少稅收成本。

　　阪本幸雄表示，爾必達必將進軍中國市場，該公司最早將于2012年與一家臺灣芯片制造商合作到大陸建廠，并希望尋求中國政府的支持。爾必達還將加快其臺灣合資公司瑞晶電子第二家工廠的建設進程。

　　阪本幸雄預計，隨著電腦銷量回升以及新款移動設備對存儲芯片需求的增加，爾必達本財年有望實現創(chuàng)紀錄的利潤和收入。三星電子上月表示，今年將向芯片業(yè)務投資89億美元，約為爾必達的10倍。海力士也表示，將增加預算開支。

　　全球曼氏金融(MF Global)分析師大衛(wèi)·魯賓斯坦(David Rubenstein)說：“爾必達將遭遇規(guī)模龐大的三星。無論爾必達是否真的具有進攻性，他們也永遠成不了第一。由于存在巨大的成本劣勢，因此他們只能成為第二或第三。”

　　需求上升

　　DRAM芯片是一種被廣泛應用于電腦和手機中的短時存儲芯片。美國市場研究公司Gartner上周預測，今年全球DRAM芯片銷售額將增加78%。較全球半導體市場27%的銷售額增速預期高出兩倍。

　　阪本幸雄說：“高性能DRAM的需求正在增加。iPhone中的DRAM使用量明年很可能會翻番。”他還表示，如果芯片價格繼續(xù)維持在當前的水平，在截至2011年3月的財年內，爾必達的營業(yè)利潤就將超過1600億日元(約合18億美元)，銷售額則會達到7000億日元。這一數據超出分析師的平均預期。

　　控制成本

　　阪本幸雄表示，盡管競爭對手今年將增加投資，但爾必達并不準備效仿這一做法，仍將把本財年的預算維持在1150億日元的水平。相反，該公司會把重點放在工藝水平的提升上，由65納米技術升級至45納米。

　　三星增加資本支出使得外界擔心其競爭對手會效仿這一做法，從而導致產能提升，使得基準1GB DRAM芯片的價格下滑了15%。根據市場研究公司DrameXchange的數據，在2008年出現了62%的價格下滑并跌至歷史低點后，DRAM價格去年翻了3倍多。

　　阪本幸雄表示，爾必達最早將于2012年開始在中國大陸建設第一座工廠。中國今年有望超越日本，成為全球第二大經濟體，而中國市場的需求增加以及關稅和匯率風險使得在中國建廠成為了必然選擇。

　　中國制造

　　從海外進口到中國大陸并被用于本地電子產品的芯片都要繳納17%的增值稅。而英特爾和海力士都已經通過在中國大陸建立工廠的方式避免了這一稅收成本。美國市場研究公司iSuppli駐上海分析師凱文·王(Kevin Wang)預計，隨著高端市場的增速放緩，中國芯片市場明年的增速將超越全球總體水平。凱文·王說：“中國終端用戶對電子產品的需求非常旺盛。”

　　爾必達將于今年12月決定中國的戰(zhàn)略，并在4個月內制定一項計劃，為臺灣瑞晶電子建設第二座工廠。阪本幸雄說，這家工廠將耗資約18億美元，“我們希望從客戶那里獲得最多半數的資金”。

　　爾必達過去兩年一直處于虧損狀態(tài)，截至3月31日，該公司負債總額約為6000億日元。

　　阪本幸雄還表示，該公司計劃于明年開始批量生產NAND存儲芯片。該公司今年3月從已破產的芯片制造商飛索半導體那里購買了相關技術，過去兩個月已經在廣島工廠中對該技術進行了測試。

　　阪本幸雄說：“中國消費的產品應當在中國制造。”