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      微型逆變器市場(chǎng)將大幅增長(zhǎng)

      作者: 時(shí)間:2010-05-20 來源:中國(guó)電子報(bào) 收藏

        微型和分布式最大功率點(diǎn)跟蹤()解決方案作為市場(chǎng)的新興領(lǐng)域,預(yù)計(jì)將會(huì)大幅增長(zhǎng),2010年到2015年的年均復(fù)合增長(zhǎng)率可達(dá)77%。

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/109178.htm

        從發(fā)電系統(tǒng)的角度來看,并網(wǎng)在技術(shù)上的重點(diǎn)在于以下兩個(gè)方面。一是從系統(tǒng)的角度來看,光伏行業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一是太陽能面板的陰影問題。陰影的變化、太陽能面板上的污垢和面板老化,都會(huì)對(duì)各個(gè)面板的電壓構(gòu)成影響,從而引起串聯(lián)面板的輸出電壓發(fā)生變化。微型將是其中一個(gè)替代解決方案,它能夠在面板級(jí)實(shí)現(xiàn)最大功率點(diǎn)跟蹤(),擁有超越中央逆變器的優(yōu)勢(shì)。能夠在每塊太陽能面板取得最佳功率點(diǎn),而無需進(jìn)行串行太陽能面板串聯(lián)配置,可以最大限度地減少陰影問題。二是從功率器件的角度來看,由于主要的光伏系統(tǒng)廠商擁有各自的光伏逆變應(yīng)用專利拓?fù)洌雽?dǎo)體供應(yīng)商必須開發(fā)專用的產(chǎn)品。因此,這些廠商需要緊跟太陽能逆變器市場(chǎng)不斷演進(jìn)的新興技術(shù)趨勢(shì)。例如,由于需要提高輸入電壓以獲得更高的效率,所以必須使用650V或以上MOSFET/IGBT。此外也需要使用SiCSBD作為成套解決方案。另外,要擴(kuò)大10kW以上市場(chǎng)份額,就必須使用IGBT/SPM模塊。

        對(duì)于10kW以下并網(wǎng)光伏逆變器解決方案,飛兆半導(dǎo)體提供場(chǎng)截止(FS)IGBT和SupreMOSMOSFET器件,具備進(jìn)入這一高性能市場(chǎng)所需的低EOFF優(yōu)勢(shì)和高可靠性。對(duì)于微型逆變器,飛兆半導(dǎo)體擁有中等電壓MOSFET和SupreMOS技術(shù),可為這類應(yīng)用提供卓越性能。



      關(guān)鍵詞: 逆變器 光伏 MPPT

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