全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤式機臺(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進45納米制程的目標，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺浸潤式機臺本周才會正式到貨，比原訂時程晚了2~3個月，內(nèi)部已決定將8萬片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進63納米制程作為應變。DRAM業(yè)者皆認為，全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40納米正式對決時間點，會是在2011年!

　　瑞晶總經(jīng)理陳正坤表示，瑞晶第1臺浸潤式機臺將于本周正式到貨，預計在9月之前會有5~6臺浸潤式機臺進來，屆時將加快轉(zhuǎn)進45納米制程的速度。

　　陳正坤進一步指出，三星電子(Samsung Electronics)這次在40納米世代的技術(shù)再度超前，其實是臺系DRAM廠和美日同業(yè)都遇到相同的瓶頸，其中大部分都是卡在浸潤式機臺遞延交貨之故。

　　根據(jù)DRAM業(yè)者透露，三星早在2009年初就開始預定浸潤式機臺，加上東芝(Toshiba)、臺積電等半導體大廠在50納米以下制程，也都需要浸潤式機臺，2009年臺系DRAM廠因為財務缺口還身陷泥淖，現(xiàn)在面對機臺遞延的狀況，只能無奈接受。

　　不過，瑞晶為了彌補 45納米制程進度遞延，內(nèi)部也決定將旗下8萬片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進63納米制程，原本內(nèi)部計劃只轉(zhuǎn)一部分，另一部分要從65納米直接跳45納米，但依據(jù)現(xiàn)在情勢發(fā)展，瑞晶已決定加速全轉(zhuǎn)進63納米制程，才能趕上下半年個人計算機(PC)傳統(tǒng)旺季。

　　陳正坤表示，目前63納米已開始大量投片，預計6月有30%產(chǎn)出會是63納米制程產(chǎn)品，7月就會全線轉(zhuǎn)進63納米制程，等下半年浸潤式機臺陸續(xù)到位后，會再逐漸轉(zhuǎn)進45納米制程。

　　瑞晶原本計劃在2010年底之前，旗下12寸晶圓廠8萬片產(chǎn)能會全轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)進45納米制程，但因為浸潤式機臺交貨的時間點比預期晚上2~3個月，因此內(nèi)部經(jīng)過評估，年底前8萬片全轉(zhuǎn)45納米制程的目標無法達陣，將會遞延1季，預計要到2011年第1季才會全轉(zhuǎn)完。

　　此外，力晶下半年也將加入45納米制程大戰(zhàn)，但投片和量產(chǎn)的時間點大約會比瑞晶晚上1季。

　　在南亞科和華亞科陣營方面，則仍是預定下半年會轉(zhuǎn)進42納米制程，此技術(shù)是由美光 (Micron)和南亞科共同研發(fā)。

　　再者，韓系大廠在40納米世代制程進度上，仍是呈現(xiàn)領(lǐng)先態(tài)勢，三星和海力士(Hynix)將分別轉(zhuǎn)進 46納米和44納米制程，下半年可望大量出貨，但全球真正40納米世代之戰(zhàn)，時間點會是在2011年，屆時登場的主流產(chǎn)品會是2Gb容量的DDR3芯片。