三星將加大40nm制程DDR3內存芯片產能
頂級內存/閃存芯片廠商三星公司近日宣布由于Intel至強5600系列新處理器的出爐,刺激服務器廠商對DDR3內存的需求量大增,因此公司將增加 40nm制程DDR3內存芯片的產能。三星表示其40nm制程DDR3內存芯片產品的耗電量將比60nm制程產品低40%左右,目前其40nm制程 DDR3內存芯片產品的型號主要有1Gb/2Gb/4Gb幾種,可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed內存條。
本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/108586.htm三星半導體公司的副總裁Jim Elliott表示:“當與至強5600系列處理器以及5500/5700平臺配合使用時,DDR3內存能顯著改善系統(tǒng)的內存數據傳輸效率,同時功耗水平也大有下降,非常適合各類企業(yè)服務器應用。而我們的低功耗DDR3內存解決方案則將在新一代綠色服務器設計中扮演至關重要的角色。”
三星自從2009年春季便已經開始了40nm制程DDR3內存芯片的生產。
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