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            追隨三星之路 爾必達推出32GB容量模塊

            作者: 時間:2010-04-26 來源:DigiTimes 收藏

              日韓大廠制程競賽延伸至產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn),在三星電子( Electronics)于3月底,宣布推出由32GB大容量服務(wù)器內(nèi)存模塊后,日系內(nèi)存大廠爾必達(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問世,不但采40奈米制程生產(chǎn),未來也將用此芯片生產(chǎn)32GB內(nèi)存模塊,應(yīng)用于服務(wù)器、大型數(shù)據(jù)中心或其他大型系統(tǒng)等,大廠在產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn),逐漸由主流規(guī)格2Gb,延伸至4Gb容量。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/108345.htm

              爾必達22日指出,將正式推出4Gb DDR3芯片,主要是采用制程生產(chǎn),且響應(yīng)近期科技產(chǎn)業(yè)吹起的環(huán)保風(fēng),4Gb DDR3芯片新產(chǎn)品與上一代2Gb的DDR3相比較,可節(jié)省30%的耗電量。

              爾必達進一步表示,這項4Gb DDR3芯片新產(chǎn)品最高容量可用于32GB內(nèi)存模塊,初期應(yīng)用領(lǐng)域是在服務(wù)器、大型數(shù)據(jù)中心或其他大型系統(tǒng)等,其他應(yīng)用范圍還包括消費性電子、個人計算機 (PC)、游戲機等,而用于大型系統(tǒng)時,其省電的特性即更能淋漓發(fā)揮。

              爾必達計劃于2010年第2季試產(chǎn)4Gb DDR3芯片,緊接著預(yù)計第3季可步入量產(chǎn)階段,此產(chǎn)品線會于日本廣島廠生產(chǎn)。

              目前臺系合作廠商包括力晶、瑞晶和茂德都是以63納米制程生產(chǎn)1Gb的DDR3芯片,待下半年45納米制程量產(chǎn)后,將會開始生產(chǎn)2Gb容量的DDR3芯片。

              三星電子也搶先在3月底推出采用 制程DDR3芯片制成的32GB內(nèi)存模塊,強調(diào)的優(yōu)點是高效能、低耗能,同也樣是以省電和環(huán)保作為訴求之一。

              爾必達日前也公布 2009年度(2009年4月~2010年3月)財測,成果相當(dāng)亮麗,正式轉(zhuǎn)虧為盈,獲利達20億日圓,營業(yè)利益也出現(xiàn)3年來首見獲利,達為260億日圓,主要還是受惠價格大漲之賜。

              2010年爾必達在營運策略上,轉(zhuǎn)向大力支持PC大廠,主要也是因為新機種的換機需求,會由PC大廠做帶頭示范的作用,因此初期的終端需求都集中在PC身上,目前DRAM缺貨嚴重,預(yù)計DRAM缺口會延續(xù)至2010年第3季。



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