富士通微電子公司日前宣布，已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出一種NOR型閃存新技術(shù)，可提高閃存讀取速度，并同時(shí)降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問(wèn)隨機(jī)存儲(chǔ))中的電路元素，從而實(shí)現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問(wèn)速度提高2.5倍達(dá)，訪問(wèn)時(shí)間僅10ns，同時(shí)工作電流降低三分之二達(dá)到9µA。通過(guò)在嵌入式設(shè)備中應(yīng)用這項(xiàng)技術(shù)，便攜音視頻設(shè)備將有望改進(jìn)性能，同時(shí)延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間。

　　富士通表示，將以這項(xiàng)NOR閃存新技術(shù)為核心，結(jié)合高可靠性、高耐熱性、高性能等技術(shù)，應(yīng)用于汽車電子、工控設(shè)備以及消費(fèi)電子產(chǎn)品中的嵌入式微 控制器產(chǎn)品中。