三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲器供應鏈出現(xiàn)供貨排擠效應。

　　三星器興廠發(fā)生停電意外，在啟動不斷電系統(tǒng) (UPS)后，1小時內便恢復運作，估計此事件對公司營運影響不大。

　　存儲器業(yè)者指出，這次三星受影響廠區(qū)是Fab 13和Fab 14，單月產(chǎn)能分別為12萬和13萬片，主要生產(chǎn)DRAM和NAND Flash產(chǎn)品;除存儲器產(chǎn)品線外，亦傳出部分LED產(chǎn)品受影響，由于三星LED公司向三星電子借調器興廠第3條生產(chǎn)線，這次恐怕也遭到波及。

　　此外，由于三星器興廠的廠房電力仍不穩(wěn)定，在回復供電后，又陸續(xù)傳出供電不穩(wěn)情況，且連Fab 7~9等生產(chǎn)LSI產(chǎn)品的廠房，都陸續(xù)傳出停電情況，但此部分未獲三星官方證實。存儲器業(yè)者認為，這次三星跳電時間很短，影響實際產(chǎn)出不多，但由于發(fā)生的時間點不對，現(xiàn)在DRAM產(chǎn)業(yè)鏈供應缺口已非常嚴重，多種存儲器零件都大幅缺貨，整個產(chǎn)業(yè)鏈供給嚴重告急。

　　下游廠商則表示，之前PC大廠罕見下3個月長單后，已排擠到原本模塊廠所需要產(chǎn)能，這次三星又發(fā)生電力不穩(wěn)事件，即使只影響到少部分出貨，但對于產(chǎn)業(yè)供需沖擊仍將很明顯，未來DRAM 貨源恐面臨干涸情況。

　　另外，由于這次三星停電影響到NAND Flash產(chǎn)出，且傳出波及高容量32Gb NAND Flash芯片，因而備受市場關注。存儲器業(yè)者透露，NAND Flash是2010年以來唯一沒有漲價的存儲器零組件，最大原因是蘋果(Apple)認為NAND Flash價格太高，遲遲不肯出手備貨，但眼見iPad市場反應相當好，加上智能型手機需求攀升，蘋果下單備貨恐已勢在必行。

　　目前 DDR2和DDR3芯片報價都已來到3美元，存儲器業(yè)者認為，若價格再往上走，對于系統(tǒng)廠和模塊廠而言，成本壓力非常大，如今三星停電所造成心理因素，以及實質供給缺口同時發(fā)酵，業(yè)者均不敢對報價做出預估，但業(yè)者亦提出警訊，希望價格不要一下子漲太快，否則容易抑制終端需求，一旦價格回檔，下游廠會蒙受庫存跌價損失。