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            賽靈思發(fā)布28納米FPGA平臺 推進(jìn)可編程技術(shù)

            作者: 時間:2010-02-24 來源:賽迪網(wǎng) 收藏

            賽靈思公司()宣布發(fā)布賽靈思新一代可編程平臺。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/106223.htm

            據(jù)悉,目前過高的ASIC設(shè)計和制造成本、快速演化的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、縮減物料清單以及對軟硬件可編程性的需求,與當(dāng)前經(jīng)濟(jì)不景氣且員工數(shù)量減少的狀況相互交織,令當(dāng)前的現(xiàn)實環(huán)境雪上加霜,迫使電子產(chǎn)品設(shè)計人員必須逐步把用作ASIC 和ASSP的替代方案。賽靈思將上述各種趨勢的互相交織,視為可編程技術(shù)勢在必行的重要驅(qū)動因素。

            同時,功耗管理及其對系統(tǒng)成本和性能的影響也是當(dāng)前電子系統(tǒng)設(shè)計人員和制造商所首要關(guān)注的問題。隨著競爭日益激烈,盡力降低功耗、加強(qiáng)對熱耗散的有效管理、并同時在由價格和性能驅(qū)動的功能方面保持領(lǐng)先等更加不可或缺。

            賽靈思可編程平臺開發(fā)全球高級副總裁Victor Peng指出:“在28納米這個節(jié)點(diǎn)上,靜態(tài)功耗是器件總功耗的重要組成部分,有時甚至是決定性的因素。由于提高可用系統(tǒng)性能和功能的關(guān)鍵在于控制功耗,因此為了實現(xiàn)最高功效,首先必須選用適合的工藝技術(shù)。我們選擇了臺灣半導(dǎo)體制造有限公司(TSMC)和三星(Samsung)的高介電層/金屬閘 (high-k metal gate)高性能低功耗工藝技術(shù),以使新一代能最大限度地降低靜態(tài)功耗,確保發(fā)揮28納米技術(shù)所帶來的最佳性能和功能優(yōu)勢。”

            和前代產(chǎn)品相比,全新的平臺功耗降低一半,而性能提高兩倍。高性能低功耗工藝技術(shù)使得FPGA的靜態(tài)功耗降低了50%,較低的靜態(tài)功耗可讓賽靈思向客戶交付業(yè)界功耗最低的FPGA,且比前代器件的總功耗減少50%。同時,新一代開發(fā)工具通過創(chuàng)新時鐘管理技術(shù)可將動態(tài)功耗降低20%,而對賽靈思的部分重配置技術(shù)的增強(qiáng),將幫助設(shè)計人員進(jìn)一步降低33%的系統(tǒng)成本。同時還能通過簡單的設(shè)計移植和IP再利用,大幅提升設(shè)計人員的生產(chǎn)力。



            關(guān)鍵詞: Xilinx FPGA

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