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            安森美半導體推出高壓MOSFET系列

            作者: 時間:2010-02-23 來源:電子產品世界 收藏

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/106191.htm

              應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商半導體擴充公司市場領先的產品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管()系列。這些新方案的設計適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調制(PWM)段等高壓、節(jié)能應用的強固要求,在這些應用中,加快導通時間及降低動態(tài)功率損耗至關重要。具體而言,這些方案非常適合用于游戲機、打印機和筆記本電源適配器,及應用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。

              這些新的500 V和600 V器件是單N溝道,以提供有競爭力的低導通阻抗(RDS(on))實現(xiàn)極低的功率耗散。這些器件使用平面條形(planar stripe)技術,能在極苛刻應用中工作。低門電荷降低開關損耗,還提高電源能效。這些器件的額定雪崩能量在電源應用中提供強固的工作。這些器件的優(yōu)異性能組合幫助開發(fā)更高能效的電源子系統(tǒng)。

              半導體產品分部副總裁兼總經理Paul Leonard說:“推出這些器件系列僅是半導體進軍高壓功率MOSFET市場的第一步。我們戰(zhàn)略性地進入了高壓開關市場,提供充沛的500 V到600 V負載開關方案選擇,更好地服務我們客戶的總體電源管理需求。未來我們將繼續(xù)擴充高壓功率MOSFET產品陣容,為消費及工業(yè)客戶提供針對性的方案。這些新器件的推出是安森美半導體不斷加強其業(yè)界領先高能效電源方案供應商地位的又一實例。”

              新推出的600 V MOSFET器件包括:

              - NDD02N60Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.22美元

              - NDD02N60ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.22美元

              - NDD03N60Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.23美元

              - NDD03N60ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.23美元

              - NDD04N60Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.27美元

              - NDD04N60ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.27美元

              - NDF04N60ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價為0.27美元

              - NDF06N60ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價為0.36美元

              - NDF10N60ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價為0.42美元

              新推出的500 V MOSFET器件包括:

              - NDD05N50Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.29美元

              - NDD05N50ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.29美元

              - NDF05N50ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價為0.29美元

              - NDF08N50ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價為0.38美元

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