據(jù)國外媒體援引消息人士透露，韓國芯片巨頭三星電子計劃進一步縮減DDR2內(nèi)存產(chǎn)能，并將生產(chǎn)線用于盈利更好的NAND閃存。 

　　據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，在本季度，三星電子已經(jīng)將其DDR2內(nèi)存的產(chǎn)能壓縮了大約5000萬個 “256Mbit單位”。到明年第一季度，該公司計劃進一步壓縮5000萬個單位。這位消息人士說，三星電子計劃用這些騰出的生產(chǎn)線生產(chǎn)目前市場供不應求的NAND閃存產(chǎn)品。 

　　三星電子這個舉措符合存儲市場調(diào)研公司iSuppli對明年DRAM市場所作的估計。據(jù)這家機構預期，明年全球DRAM銷售將下降5.1％，降至239.7億美元。不過在2007年迎來反彈。 

　　另據(jù)投行高盛公司表示，在今年三季度，三星電子NAND閃存生產(chǎn)率維持在42%，已經(jīng)超過了普通內(nèi)存生產(chǎn)約17%個百分點。目前，三星占據(jù)全球DRAM市場約30%的份額，在NAND閃存領域，則“霸占”了60%的市場。 

　　目前，NAND閃存處于火爆局面，蘋果公司甚至支付12億美元定金從幾大閃存廠商搶購產(chǎn)品。 

　　根據(jù)11月份媒體報道，三星電子還在向“應用材料”、ASML、Novellus等芯片設備制造商定購裝備，而重點也是提高閃存產(chǎn)量。