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            2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化

            作者: 時(shí)間:2010-01-27 來源:DigiTimes 收藏

               Flash市場(chǎng)未脫傳統(tǒng)淡季,仍在等待蘋果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn),2010年1月下旬 Flash合約價(jià)大致持平,高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲,低容量芯片要嚴(yán)防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple- Level Cell)成為市場(chǎng)的價(jià)格殺手,但高容量產(chǎn)品新增產(chǎn)能又相當(dāng)有限,因此2010年 Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/105543.htm

              近期NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)和合約價(jià)都有止跌的跡象,1月下旬NAND Flash合約價(jià)持平開出,在高容量32Gb和64Gb芯片方面,由于上游NAND Flash大廠的產(chǎn)出有限,因此合約價(jià)出現(xiàn)平盤到小漲3%幅度,也預(yù)告2010年NAND Flash市場(chǎng)發(fā)展逐漸朝兩極化進(jìn)行。

              NAND Flash業(yè)者指出,農(nóng)歷春節(jié)前的大陸客戶買盤陸續(xù)出籠,針對(duì)小型記憶卡等產(chǎn)品進(jìn)行補(bǔ)貨,期望1月底的補(bǔ)貨效應(yīng)會(huì)更加明顯,但整個(gè)市場(chǎng)仍在等待系統(tǒng)大廠的回補(bǔ)行情發(fā)動(dòng),尤其是蘋果的補(bǔ)貨效應(yīng),以及新產(chǎn)品平板計(jì)算機(jī)iSlate采用高容量NAND Flash芯片,都令市場(chǎng)期待甚深。

              2010 年NAND Flash市場(chǎng)進(jìn)入30奈米制程世代,三星電子(Samsung Electronics) 由42奈米進(jìn)入32奈米制程、海力士()由41奈米進(jìn)入32奈米制程、東芝(Toshiba)由43奈米進(jìn)入32奈米制程,美光 (Micron)和英特爾(Intel)陣營(yíng)2009年已領(lǐng)先進(jìn)入30奈米世代,2010年則是要進(jìn)入20奈米世代,顯示各陣營(yíng)在制程微縮上相當(dāng)積極。

              模塊廠認(rèn)為,其實(shí)2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)不用擴(kuò)增產(chǎn)能,但單靠制程微縮技術(shù),產(chǎn)出即增加不少。

              同時(shí),2010年三星和東芝也進(jìn)入TLC芯片技術(shù),成本結(jié)構(gòu)大幅下降,但也造成NAND Flash低容量的芯片價(jià)格持續(xù)下滑。NAND Flash業(yè)者表示,2010年NAND Flash芯片價(jià)格是兩極化發(fā)展,低價(jià)芯片在TLC世代下會(huì)更便宜,但高階芯片則在系統(tǒng)大廠、手機(jī)應(yīng)用等帶動(dòng)下,價(jià)格會(huì)相對(duì)持穩(wěn)。

              2010年下游廠認(rèn)為,2009年NAND Flash芯片價(jià)格漲上來后,一直維持高檔盤旋,2010年在制程微縮和TLC芯片出籠下,NAND Flash價(jià)格波動(dòng)會(huì)較大,尤其傳統(tǒng)淡季和旺季價(jià)格會(huì)相當(dāng)明顯,因此在操作上需要更加小心。



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